英特尔25nm闪存量产 演绎新固态硬盘时代

IMFT（Intel-Micron Flash Technologies，英特尔美光闪存技术公司）于今年一月在DailyTech展示了25nm芯片样本，二月份发布了官方声明。英特尔和美光公司都期望25nm NAND闪存被用在新一代固态硬盘上。英特尔同时致力于开发一款支持ONFI2.2的新NAND闪存控制器。

IMFT 8GB NAND芯片尺寸仅为一百六十七平方毫米，可容纳2,000首歌曲，7000张照片或8小时的视频。由于iPad和智能手机的出现，以后对于NAND闪存的要求会越来越高。固态硬盘，USB和高容量存储卡的需求也会增长。

更小的芯片尺寸使IMFT以最小的成本增加闪存芯片的容量。在去年七月发布34nm 产品时，英特尔将它的固态硬盘价格降低了60%。

今年整个闪存芯片产业会有很大的发展。Hynix准备在七月量产26nm NAND，Toshiba和SanDisk准备24nm产品。美光公司称以上产品都属于20nm级的技术。

这种技术的另一个优势是密度和封装尺寸。美光的25nm NAND封装达到12毫米，符合业界20毫米的薄型小尺寸封装标准。