全球DRAM产业第一季营收83亿美元小跌4%

 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，全球DRAM产业第一季营收数字83亿美元，虽然DRAM合约均价较上季下跌30%，但受惠于第一季DRAM颗粒总产出量较前一季约成长15%，以及各DRAM厂逐步降低标准型DRAM比例转为附加价值高的行动式记忆体及绘图式记忆体等产品，总括第一季DRAM厂总营收较去年第四季86亿美元小幅衰退4%左右。

    从市场面来观察，由于DRAM厂在先进制程产能不断开出下，第一季位元成长率较上季成长约15%，但PC市场销售不如预期下，与上季相比呈现近7%的衰退，加上PC平均记忆体搭载量没有显著成长下，DRAM市场供过于求下，第一季DDR32GB合约均价为16.7美元，较上季23.9美元跌幅达30%，而现货市场方面DDR31Gb1333MHz颗粒均价亦较上季下跌26.7%至1.1美元价位。

    即使DRAM价格在第一季仍呈现下跌的价格走势，美系及韩系DRAM厂商仍缴出获利的财务报告，台湾DRAM厂仅有华邦可维持获利，但其余仍处于亏损的状态，加上受到地震影响，整体市场消费信心不足，DRAM厂亦对今年资本支出转趋保守。

    2011年的DRAM资本支出下降36%，由去年的117.6亿美元降至75亿美元，但DRAM厂仍未停止制程的研发脚步，韩美日DRAM厂商预计今年将30nm制程迈入主流规格，台系DRAM厂亦加速40nm制程转换，加上各厂商积极的调整产品组合，加重行动式记忆体及伺服器用记忆体比重，调降标准型DRAM产出，寻求未来转型的契机。

    全球DRAM厂自有品牌记忆体营收排名

    从全球DRAM厂自有品牌记忆体营收排名来分析，韩系厂商三星(Samsugn)与海力士(Hynix)营收仍稳坐全球DRAM厂前两位，三星本季营收下降6.1%，三星DRAM市占率仍维持与上季相同约40%左右，由于制程转进速度优于其他厂商，35nm制程产出逐步拉高，预计年底35nm制程的占整体产出量可以超过50%，市占率有望进一步提升。

    海力士本季营收与上季相较微幅上升0.3%，市占率由上季21.9%上升至22.9%，其主因由于海力士积极降低标准型DRAM比重，提升行动式记忆体及绘图式记忆体产出比例，即使第一季DRAM呈现价格下滑的趋势，海力士DRAM营收仍保持微幅的成长。

    日系厂商尔必达(Elpida)方面亦受到DRAM价格下滑影响，第一季营收与上季相比下降约5.1%，市占率由13.6%下降至13.5%，日前力晶已正式宣布未来产出的标准型DRAM将全数交由尔必达销售，预计第二季末将对尔必达营收挹注有所贡献。

    在产品规划上，尔必达日本广岛厂将专注行动式记忆体与代工方面业务，并将标准型DRAM转交瑞晶与力晶负责。而子公司瑞晶方面，目前38nm制程试产良率状况良好，可望第二季末导入量产并大幅提升成本竞争力。

    美光(Micron)方面，受到DRAM价格影响，虽然DRAM位元产出本季增加约23%，DRAM营收仍较上季下跌8.5%，但市占率小幅下滑至11.4%。

    台系厂方面，由于DRAM市场市况不佳，南科第一季营收下滑约3.8%，但本季市占率维持相同4.2%，由于南科在42nm制程持续转进下与代工厂华亚科产出量增加下，位元销售量相较于上季成长20%。

    力晶则是受惠于浸润式机台正式加入量产行列，45nm制程产出增加下，营收增加8.3%，算是第一季少数DRAM厂营收成长的厂商，未来力晶将转型为专业代工厂并淡出自有品牌销售，并加重行动型记忆体、快闪记忆体及代工业务营收，获利能力可望稳定提升。

    华邦营收较去年第四季下滑2.7%，由于华邦近期专注于行动式记忆体、利基型记忆体及NORFlash等毛利较高产品线，获利表现仍可抱持审慎乐观的态度。

    以各国市占率版图来分析，韩系厂商合计市占率高达64.1%，美系以及台系DRAM厂方面，市占率各为11.7%及10.5%，而日系厂商市占率下滑至13.7%。