韩国周三批准三星在华投建40亿美元闪存厂

北京时间1月4日消息，据国外媒体报道，周三，韩国政府宣布，已经批准三星电子在中国建设一座闪存芯片工厂。

这家工厂计划投资40亿美元，是三星在海外的第二座芯片工厂。工厂将使用20纳米或以下半导体生产工艺，大规模的量产将会在在2013年启动，该工厂每月处理的晶圆个数将达到十万个。据报道，三星电子目前尚未确定工厂的选址。

根据韩国政府规定，本国企业要在海外设立高科技生产基地，必须向政府提交申请，以避免高端技术的外泄。韩国知识和经济部官员周三表示，三星电子将会成立一个委员会，专门防止中国工厂闪存芯片技术被泄露。

三星是全世界最大的NAND闪存芯片制造商，占据了全球四成的市场份额。其竞争对手主要包括日本东芝、韩国海力士半导体，以及美国美光科技公司。

根据IT研究机构Gartner公司的报告，今年，中国的NAND闪存消耗量将占到全球一半，金额达到290亿美元，到2015年，中国的消耗份额还将攀升到55%。

随着华为科技、中兴通讯等中国企业逐渐提升在全球智能手机、平板电脑领域的市场份额，中国厂商对于NAND闪存的需求也出现了快速增长。