三星将采用20nm工艺制造4Gbit LPDDR2内存颗粒

继去年采用30nm制程生产目前存储密度最高的4Gbit LPDDR2内存颗粒之后，昨日三星正式宣布该公司开始使用最新的20nm制程工艺制造这一产品。

新的20nm工艺4Gbit LPDDR2内存颗粒更薄：四颗粒堆叠封装组成的一块2GByte LPDDR2内存厚度为0.8mm，比之前30nm工艺的LPDDR2芯片少20%，传输速度最高同为1066Mbps（即频率1066MHz）。

三星希望新的20nm工艺4Gb LPDDR2颗粒能迅速取代目前智能手机上广泛使用的30nm 2Gb LPDDR2产品。同为1GB容量方案，新的20nm 4Gb颗粒只需2块堆叠而旧的2Gb产品需要4块。

根据IHS iSuppli的统计，随着智能手机/平板电脑以及超轻薄笔记本电脑的飞速发展，4Gb LPDDR2的出货量正在迅速上升：2012年内能占DRAM市场总出货量的13%，2013年可占49%而2014年更是可达63%。2013年底4Gb DRAM颗粒将成为DRAM市场的主流产品，届时智能手机/平板电脑的主流产品内存容量可达2GB，此前NTT Docomo版的三星Galaxy S III正是使用4块4Gb LPDDR2颗粒组成了2GB内存。

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