英特尔称14纳米工艺将于2013年底之前投产

据台湾媒体报道，英特尔已经宣布CPU和SoC的生产工艺将在2013年底升级到14纳米制程，并从2015年开始10纳米及更低制程的工艺研发。

英特尔高级副总裁Mark Bohr在旧金山召开的英特尔开发者论坛大会（IDF）上展示了一张关于英特尔生产工艺的研发路线图。

英特尔表示，即将采用的14纳米工艺的代码名称为P1272和P1273，预计这个等级的工艺技术将在2013年底之前做好投产准备。它补充说，它将继续对俄勒冈的D1X工厂、亚利桑那州的Fab 42工厂和爱尔兰的Fab 24工厂进行投资。

英特尔之前已经确认，上述3家工厂将会采用14纳米及更低制程的技术工艺。

另外，英特尔还指出，10纳米、7纳米和5纳米制程工艺的研发工作将从2015年开始。

英特尔在2011年5月宣布了三维Tri-Gate晶体管，这项创新产品可以让芯片在更低的电压下运行，功率损耗会更低，但性能和能效会比前一代晶体管更加优秀。这种新的晶体管已经被用于英特尔酷睿系列处理器，并从2011年底左右开始量产。