DRAM止跌回稳 明年内存要大涨

受到DRAM现货价格上涨的激励，12月上旬DRAM合约价也跟着上扬，DRAM止跌回稳态势可望确立，业界认为，受到供应厂商纷减产影响，估明年DRAM位成长仅达 20%，需求则约达30%，明年DRAM恐会出现短缺问题，有助带动价格回升到DRAM厂的获利空间。

DRAMeXchange调查指出，11月下旬DRAM合约价格小跌3.17%，但近期现货价上涨，激励12月上旬合约价也上扬，涨幅约介于1.25%到2.52%之间。

上涨幅度虽小，但代表PC系统厂库存降到健康水位，买货意愿逐渐提高。这是下半年以来，供过于求的DRAM首度出现合约价起涨。

DRAMeXchange表示，今年第3季各厂纷减产标准型DRAM，将生产重心转移到移动内存，即使还保留的部分标准型DRAM产能也正值制程转进，技术难度高，初期产出量也会受到影响，致使部分产品品项颗粒供货吃紧，带动价格攀升。

明年整体 DRAM 产业的资本支出将较今年减少21%，市场估明年DRAM位成长仅达20%，较今年的近30%进一步减少，但以市场需求量约需达30%，展望后市，不仅 DRAM供需趋平衡，明年恐还会出现短缺问题。

近期 DDR3 2G 虽已回到1美元，但以DRAM厂现有制程估算成本，估约需达1.5美元才有获利空间，即使目前价格上扬，DRAM厂仍呈现亏损，明年若价格掀涨势，回升到DRAM厂成本之上，厂商才可望有获利空间。