HMC联盟力推堆叠式DRAM设计 功耗降低带宽15倍

经过17个月的发展，世界上最大的一群内存制造商，已经宣布了一项新的解决方案，有望极大地提升标准的DDR3和DDR4 DRAM的性能，同时降低功耗。"Hybrid Memory Cube"联盟的设计，旨在解决传统DRAM模块的局限性(在高需求的情境下，会束缚性能)。HMC联盟的成员包括三星和镁光等公司。

"内存墙"(memory wall)这个壁垒，需要一个全新的架构来突破，而这就是HMC要带给桌面的。

如果你见过Nvidia公司最近宣布的下一代(2016ish)Volta图形卡(使用了一个堆叠的DRAM设计，据称可提供1TB/s的带宽)，那么看到下图的HMC说明图，你或许会觉得有点眼熟。

HMC联盟的要求没有想象中的那么高，但其产品仍可能无法在3年内席卷市场。镁光计划在今天秋季制作堆叠式DRAM的样品，并希望在明年上半年开始生产。

HMC的堆叠式DRAM芯片采用了一个叫做"垂直互连访问"的技术(Vertical Interconnect Access)，使得电器线路可以垂直通过堆叠的DRAM硅片。内存块的核心，坐在基板的一块逻辑芯片上。

现有的原型，有着128或256的内存banks。且据镁光的一名执事称，首个HMC规范将提供2GB和4GB的封装，以及高达160GB/s的双向带宽。相较而言，DDR3和DDR4则分别只有11GB/s和18-20GB/s之间的带宽。

除了比标准的DRAM快15倍的速度，HMC联盟还表示，其功耗将降低70%。