AMD携手海力士开发3D堆栈内存HBM:性能提升65%
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随着GPU、CPU融合的深入,作为数据共享关键点之一的内存也亟需变革,不仅容量更高,还要速度更快。对内存带宽有更迫切要求的AMD原本打算在Kaveri APU上使用GDDR5技术的,种种因素制衡之后还是放弃了。日前AMD宣布联手海力士开发HBM(High Bandwidth Memory/高带宽内存),这也是一种3D堆栈式内存,性能比GDDR5提升65%,功耗降低40%。
Elecroiq报道称,上周末美国加州城市柏林盖姆举办了RTI 3D ASIP会议,AMD和海力士宣布联合开发HBM内存,此前已经有美光、IBM、三星主导的HMC内存。
海力士专家Minsuk Suh、AMD高级理事Byran Black、美光Kyle Kirby
此前在FPGA和传感器领域已经有堆栈式设计(比如索尼的1300万像素堆栈式摄像头),但是AMD高级理事Byran Black表示目前上述领域的堆栈式设计还没对主流计算领域的CPU、GPU和APU产生影响,而HBM内存将会改变(CPU、GPU及APU)。进军3D堆栈是一项英勇的举动,AMD已经准备采取这样的行动。
目前SK海力士已经开始出样HBM产品,而AMD将联合海力士开发HBM内存,已经开始准备与客户合作。
海力士公司首席工程师Minsuk Suh表示他们正在准备两种堆栈式内存,一种是用于主内存的3DS,另外一种是用于图形、网络的高性能HBM内存,JEDEC针对这些产品的规范已经接近完成。
HBM与3DS两种规范
3D堆栈内存多采用TSV硅穿孔技术。HBM类型支持多种1024个通道,可提供最高的带宽,主要用于对性能要求较高的网络和图形市场。3DS更注重成本与速度的均衡,面向主内存。
相比显卡上使用的GDDR5显存,HBM可以提高65%的总体性能,而功耗则有40%的下降。