日研发出新型混合SSD存储体 突破PC最大瓶颈

根据最近报道，一个来自日本中央大学的研究小组，成功发展出一种新型混合SSD存储体，存储和读取速度比目前一般的固态存储单元快11倍。不仅如此，这种新存储体能耗比纯NAND闪存低93%，寿命则延长了7倍。

这种新型混合存储体，是由NAND闪存单元和新型硅晶片ReRAM(可变式电阻记忆体）组合而成。NAND 闪存我们比较熟悉了，而对ReRAM硅晶片，先前曾有报道称它的速度比一般的闪存记忆体快100倍。ReRAM由二氧化矽（silicon oxide）制成，因此晶片的电阻表現更佳，另外因为其不需要真空生产，所以造价也比较便宜。借助其对各种传导率的适应能力这款芯片也可以被当做内存等记忆体使用。而且Elpida、Sharp、Panasonic这些厂商目前已将这种技术应用到自己的芯片产品中去。

硬盘和内存一直是传统PC运行速度最大的瓶颈，由于存储媒介读取速度慢，受限于传输的较小数据流和较窄的带宽，CPU空有强大的处理能力而无法完全发挥。如果这种新型混合SSD大面积商用和推广，PC的系统启动速度和软件启动速度，都将明显提高，进入大型游戏无需再经过漫长等待，读取庞大文件和程序固有的延迟也将大大减少。举个例子，魔兽世界切换界面和主城地图的过程将变成一瞬间的事。目前因为前期投资成本的问题，ReRAM晶片的造价还比较高，因此这种新型混合SSD存储体离消费市场还比较遥远。可以预见的是，由于新存储媒介的高效，它可能最先出现在成本较高的商业系统上。

研究团队明天将参加在夏威夷举行的半导体国际会议( Hawaii Symposium on VSLI Circuits)，对这种新技术进行公开讨论。