美SIA公布半导体未来蓝图 快闪记忆体受瞩目

美国半导体产业协会（SIA）日前发表2011国际半导体科技蓝图（International Technology Roadmap for Semiconductors;ITRS），其中详细提出各种短期及长期发展趋势，一路规划出半导体产业至2026年的发展。

美国半导体产业协会此次公布的蓝图，首先在2011年12月14日发表于南韩，制作过程中美国、欧洲、日本、南韩、台湾等5个区域的晶圆厂、研究机构等均有贡献。据该协会会长Brian Toohey指出，制作蓝图的团队希望借由预先提出可能会遇到的关键技术难关及可能解决方式，以令各界有更多时间进行研究。

在规划如此蓝图时，困难之处在于如何追随摩尔定律，持续微缩半导体制程，但在此同时又提高效能以符合市场需求，其中诸如记忆体、微机电系统（MEMS）、感应器、3D晶片等议题都包括在内。

美国半导体产业协会指出，在各种领域之中，DRAM的发展尤其快速，这样一来也同时可望带来高效能伺服器、游戏主机用显示卡等新技术。

在蓝图中，快闪记忆体因用于目前在市场上如数位相机、平板电脑、手机等热门可携式产品上，因而受到特别瞩目。根据预测，快闪记忆体将可在未来数年快速发展，而2016年可望被采用的3 D技术，更将令记忆体容量大幅增加。