闪迪东芝发布15nm闪存芯片，提速30%

半导体有多种类型，又有不同容量、速度和作用，但最广泛使用最常见的是NAND闪存（Flash），因此针对此类芯片的任何一次进步都有可能影响到各个行业。日前，SanDisk和东芝宣布，已经完成了迄今为止全球最领先的15nm NAND闪存的研发。

一般而言，提到半导体器件的制造工艺多数都会涉及晶片上集成的晶体管之间的连线宽度。更小的连线宽度可以在不增加芯片体积的情况下，集成更多的晶体管，使芯片的功能得到大幅扩展和提升。而且连线宽度越小，晶体管的极限工作能力提升幅度越大，意味着先进的制造工艺将带来更出色的性能，同时能效越高。

毫无疑问，SanDisk和东芝将NAND闪存研发带到了全新的里程碑，势必在全球行业内造成重大影响，因为15nm的NAND闪存芯片制造工艺基本上是世界上最先进的工艺。

据介绍，全球第二大NAND闪存厂商东芝将通过15nm工艺打造2bpc MLC 128Gb（16GB）颗粒。得益于更先进的工艺改进了外围电路，其传输速率相比上一代19nm的模块提高了30%。

东芝表示，自家的15nm NAND闪存模块将会于四月底在日本三重县四日市的Fab 5厂房开始进行量产，针对平板电脑、智能手机和笔记本电脑固态硬盘的NAND模块将使用3bpc的颗粒。同时，SanDisk也将使用15nm生产2bpc和3bpc闪存颗粒，具体计划在今年下半年。

目前半导体业务各大厂商都在追求新的工艺，但产能并不足以满足供给，由于苹果获得了台积电大量20nm订单，Nvidia和AMD的新一代显卡被迫停留在28nm工艺。另外，英特尔以及GlobalFoundries和三星合作的最新的14nm制造工艺也做好了准备，今年年底就能在市面上看到成品，但是良品率依然是这些半导体厂商的痛。