霍尼韦尔率先发布纳安级超低功耗磁阻传感器集成电路

21ic讯 霍尼韦尔公司宣布，在业内率先发布超低功耗磁阻传感器集成电路---Nanopower系列。这些传感器能耗极低，仅为360 nA，却能提供最高等级的磁灵敏度(典型应用低至7 高斯)。相较于其他广泛应用的磁技术，新引入的传感器能为设计工程师带来许多优势。

今天推出的新型纳安级磁阻传感器集成电路的灵敏度及成本与磁簧开关相同，但外形更小巧、运行更持久、性能更可靠，十分适合蓄电池驱动装置。在此之前，因为低能耗要求及高气隙需求，人们只能选择磁簧开关。

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相较于霍尔效应传感器，新型纳安级磁阻传感器集成电路具有更高的灵敏度，其探测气隙距离的能力是霍尔效应传感器的2倍。更高的灵敏度不仅能提升设计灵活性，还能通过使用更小或更低强度的磁铁来减少应用成本。

纳安级磁阻传感器集成电路专为多种蓄电池驱动装置而设计，包括水表、煤气表、电表、工业烟雾警报器、健身设备、安防系统、手持式计算机、扫描仪、大型家用电器(如洗碗机、微波炉、洗衣机、冰箱和咖啡机)、医疗设备(如病床、药物分发柜和输液泵)以及消费性电子产品(如笔记本电脑、平板电脑和无线扬声器)。

霍尼韦尔传感与控制部高级产品经理Josh Edberg表示：“一方面，由于稀土磁铁价格的大幅上涨，原使用霍尔效应传感器的设计工程师们正通过减少使用磁性材料或改用更普通的磁铁积极寻找降低总成本的方法;另一方面，为了缩减尺寸、提升质量和持久性，同时最大化电池使用寿命，设计工程师们不断探索替代磁簧开关的方法。霍尼韦尔新型纳安级磁阻传感器集成电路应时而生，具备灵敏度高、功耗低等诸多特性，十分适合蓄电池驱动装置。”

霍尼韦尔传感器纳安级系列有两种磁灵敏度：

· 超高灵敏度SM351LT：典型应用为7 Gauss，最高为10 Gauss，超低电流消耗(典型应用为360 nA)

· 高灵敏度SM353LT：典型应用为14 Gauss，最高为20 Gauss，超低电流消耗(典型应用为360 nA)

霍尼韦尔新型纳安级传感器具有如下特性：1.无需辨别磁极，全极性传感器可感知南极和北极，从而简化了安装程序并间接减低了系统成本;2.推挽式输出，无需外电路电阻，不仅更易于操作，同时降低了成本;3.非斩波器稳态设计，能消除传感器发出的电噪声;4.超小型SOT-23采用表面贴装技术，可置于编带包装(每个编带3000片产品)，并且比大多数磁簧开关小巧，不仅方便了自动化装配，还可降低产品成本。