安森美半导体为高速、硅锗数据和时钟管理系列推出更小型耐用的QFN封装
时间：2004-01-18 09:22:34
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[导读]安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）宣布，其硅锗（SiGe）Gigacomm™系列的所有集成电路现在均可提供16引脚无引线四方扁平（QFN）封装，进一步拓展了该公司在高速数据与时钟管理元件市场的地位。这种封
安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）宣布，其硅锗（SiGe）Gigacomm™系列的所有集成电路现在均可提供16引脚无引线四方扁平（QFN）封装，进一步拓展了该公司在高速数据与时钟管理元件市场的地位。这种封装与其他工业等级温度范围内的封装相比，节省电路板空间，同时大幅提高了热性能。
采用QFN封装的Gigacomm™器件目前额定温度范围为-40° C to +85° C，尺寸为3 mm x 3 mm，比倒装球栅阵列（FCBGA）封装减少44%。
QFN封装
采用QFN封装的Gigacomm™器件，其性能相等於采用FCBGA封装，但大幅减少了电路板空间占用并有效提高了热性能。QFN的结温仅为每瓦（W）功耗55° C。安森美半导体的数据与时钟管理Gigacomm™集成电路系列，结合创新的设计、SiGe工艺和QFN封装，频率高达12千兆赫（GHz）以上。
GigaComm™ 技术
Gigacomm™与砷化稼为本的同类竞争技术相比，具有无可匹敌的性能和极低价格。安森美半导体首次推出硅锗（SiGe）技术为本的产品是性能高于10 GHz的高速时钟与数据管理集成电路系列，其价格接近互补金属氧化半导体（CMOS）方案。Gigacomm™器件出众的性能可理想地应用于迅速发展的企业网络、宽带通信、自动测试设备和医学影像等市场。
Gigacomm™器件系列在某些速度高于12 GHz的情况下功能广泛。这些器件的上升和下降时间典型值为40皮秒，抖动仅在毫微微秒（10-15秒）范围内。所有Gigacomm™器件均提供安森美半导体的AnyLevel™输入技术，可接受负极性射极耦合逻辑（NECL）、正极性射极耦合逻辑（PECL），电流模式逻辑（CML）、低电压CMOS、低电压晶体管对晶体管逻辑（LVTTL）或低压差动信号（LVDS）。
器件
- NBSG11为2.5 V或3.3 V硅锗差动时钟驱动器，可将输入时钟信号再生成两个相同输出信号的形式，采用16引脚QFN封装。输出信号为降低摆幅射极耦合逻辑（RSECL），以降低功耗。
- NBSG14为带1:4扇出与RSECL输出的2.5 V或3.3 V硅锗差动时钟驱动器，16引脚QFN封装。
- NBSG16为带RSECL输出的2.5 V或3.3 V硅锗差动接收器/驱动器，16引脚QFN封装。
- NBSG16VS提供不同摆幅输出。视乎控制引脚的输入信号， 输出信号振幅可从100Mv放大到750mV，具有很大的设计灵活性。16引脚QFN封装。
- NBSG53A为2.5 V或3.3 V硅锗器件，可用作可选式差动时钟与数据D触发器与带除以1或2功能的时钟除法器。复位功能允许改变器件状态，而输出等级选择（OLS）技术可以五个步进阶段在100mV和800mV之间改变输出。16引脚QFN封装。
- NBSG86A为带输出等级选择的2.5 V或3.3 V硅锗差动智能门。它为与/与非、或/或非、异或/同或或2:1复用功能之间的选择提供可编程灵活性。NBSG86A可为高性能应用提供速度极快的主要逻辑功能。16引脚QFN封装。
所有Gigacomm器件均提供评估与演示板，也可提供具有更大设计灵活性的芯片形式。
欲了解更多信息，请访问http://www.onsemi.com/tech.
采用QFN封装的Gigacomm™器件目前额定温度范围为-40° C to +85° C，尺寸为3 mm x 3 mm，比倒装球栅阵列（FCBGA）封装减少44%。
QFN封装
采用QFN封装的Gigacomm™器件，其性能相等於采用FCBGA封装，但大幅减少了电路板空间占用并有效提高了热性能。QFN的结温仅为每瓦（W）功耗55° C。安森美半导体的数据与时钟管理Gigacomm™集成电路系列，结合创新的设计、SiGe工艺和QFN封装，频率高达12千兆赫（GHz）以上。
GigaComm™ 技术
Gigacomm™与砷化稼为本的同类竞争技术相比，具有无可匹敌的性能和极低价格。安森美半导体首次推出硅锗（SiGe）技术为本的产品是性能高于10 GHz的高速时钟与数据管理集成电路系列，其价格接近互补金属氧化半导体（CMOS）方案。Gigacomm™器件出众的性能可理想地应用于迅速发展的企业网络、宽带通信、自动测试设备和医学影像等市场。
Gigacomm™器件系列在某些速度高于12 GHz的情况下功能广泛。这些器件的上升和下降时间典型值为40皮秒，抖动仅在毫微微秒（10-15秒）范围内。所有Gigacomm™器件均提供安森美半导体的AnyLevel™输入技术，可接受负极性射极耦合逻辑（NECL）、正极性射极耦合逻辑（PECL），电流模式逻辑（CML）、低电压CMOS、低电压晶体管对晶体管逻辑（LVTTL）或低压差动信号（LVDS）。
器件
- NBSG11为2.5 V或3.3 V硅锗差动时钟驱动器，可将输入时钟信号再生成两个相同输出信号的形式，采用16引脚QFN封装。输出信号为降低摆幅射极耦合逻辑（RSECL），以降低功耗。
- NBSG14为带1:4扇出与RSECL输出的2.5 V或3.3 V硅锗差动时钟驱动器，16引脚QFN封装。
- NBSG16为带RSECL输出的2.5 V或3.3 V硅锗差动接收器/驱动器，16引脚QFN封装。
- NBSG16VS提供不同摆幅输出。视乎控制引脚的输入信号， 输出信号振幅可从100Mv放大到750mV，具有很大的设计灵活性。16引脚QFN封装。
- NBSG53A为2.5 V或3.3 V硅锗器件，可用作可选式差动时钟与数据D触发器与带除以1或2功能的时钟除法器。复位功能允许改变器件状态，而输出等级选择（OLS）技术可以五个步进阶段在100mV和800mV之间改变输出。16引脚QFN封装。
- NBSG86A为带输出等级选择的2.5 V或3.3 V硅锗差动智能门。它为与/与非、或/或非、异或/同或或2:1复用功能之间的选择提供可编程灵活性。NBSG86A可为高性能应用提供速度极快的主要逻辑功能。16引脚QFN封装。
所有Gigacomm器件均提供评估与演示板，也可提供具有更大设计灵活性的芯片形式。
欲了解更多信息，请访问http://www.onsemi.com/tech.
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