英飞凌与中芯将合作协议扩展至90纳米

英飞凌科技股份有限公司和中芯国际集成电路制造有限公司近日共同宣布，双方已经签署合作协议，进一步扩展在标准记忆芯片（DRAM）产品生产领域中的现有合作，开始90纳米标准的产品合作生产。

根据新协议的内容，英飞凌将把自己最尖端的90纳米DRAM沟槽技术和300毫米产品生产技术转让于中芯国际，并可以在未来期间灵活进行其70纳米技术的进一步转让。因此，中芯国际将为英飞凌独家生产属于此技术范围之内的产品。预计在2006年中期完成产品的最终验证之后，中芯国际将开始将其目前用于英飞凌110纳米DRAM产品的300毫米生产线转移至90纳米产品之上。

“我们与中芯国际的合作起步于2002年十二月，此次的扩展协议将进一步增大我们现有的生产合作协议内容，从而可以在无需投资修建新生产线的前提下继续拓展我们的DRAM业务”，英飞凌科技股份有限公司管理董事会成员兼英飞凌存储产品业务集团总裁罗建华（KinWahLoh）先生表示。“中芯国际是我们在中国和亚洲的核心合作伙伴。我们希望继续仰仗他们为英飞凌提供具有高效益的最佳生产制造解决方案”。

“我们非常高兴能将我们与英飞凌的合作进一步扩展至90纳米生产领域。这一事实再次证明双方对进一步推进DRAM产品发展的共同承诺”，中芯国际集成电路制造有限公司总裁兼首席执行官张汝京（RichardChang）博士表示。“通过将英飞凌位于业界第一线的尖端技术与中芯国际可靠而先进的生产制造能力进行完美结合，我们将可以进一步加强在亚洲，特别是中国所享有的市场领先优势。中芯国际的工作方向将着眼于继续为英飞凌提供无缝生产制造服务。”