英特尔大连建厂计划已获美国政府批准

据知情人士透露，英特尔投资25亿美元在中国大连建厂计划早已获得了美国政府的批准。该工厂预计将在2010年投产。

据外电报道，英特尔CEO欧德宁周一将到达北京，届时预计将宣布这一投资计划。此前中国政府已批准英特尔这个采用90纳米技术建立300毫米晶圆加工厂的计划。据悉，新工厂计划月产能5.2万片，主要产品为CPU芯片组。

据了解，300毫米芯片是当今世界最先进的技术，英特尔此前在全球也仅有七家生产工厂，其中有五家设在美国本土，一家在爱尔兰，一家在以色列。大连工厂将是英特尔在亚洲的第一个芯片生产基地。此前，英特尔已经在上海浦东和四川成都设有两家封装和测试厂。

不过一些分析师至今仍心存疑虑，认为到新工厂建成投产后，英特尔可能已开始采用65纳米或更先进技术来生产芯片。一些分析师甚至还怀疑该计划是否真会付诸实施。