台积电将28纳米制程定位为全世代制程

台积电日前宣布，将28纳米制程定位为全世代(Full Node)制程，同时提供客户高介电层/金属闸(High-k Metal Gate，HKMG)及氮氧化硅材料两种选择，以支持不同产品的应用及效能需求。此一28纳米制程预计于2010年第一季开始生产。

台积公司28纳米系列制程同时具备了高介电层/金属闸以及氮氧化硅闸晶体管两种选择的弹性制造能力，而28纳米制程将是此一系列中的全世代制程。目前有多个客户正使用台积公司28纳米制程进行产品设计，藉由与客户密切的协同合作，可以让客户选用最佳化的晶体管材料，以达到速度、耗电与成本考量的目标。

台积公司全球业务暨行销副总经理陈俊圣表示：“产品差异化、加快产品上市时程以及最佳投资效益，是台积公司提供给客户最重要的三个价值。有鉴于此，我们正在开发一个全备的28纳米制程系列，来满足客户不同产品应用及效能的需求。”

以氮氧化硅为基础的28纳米低耗电高效能制程-28LPT (Low Power/High Performance)制程，是此一制程系列中总功耗最低及具备成本效益的选择，与40纳米低耗电制程(40LP)相较，其闸密度预计可增为2倍，速度可增加最多达50%或功耗减少30%至50%。28LPT制程预计于民国九十九年初即可开始生产，可应用于行动基频、应用处理器、无线网络与可携式消费性电子产品等。

由于无线和行动消费性产品日新月异，为了协助客户抢得市场先机，台积公司遂决定在成功的氮氧化硅材料基础上开发28 LPT制程。过去几年，消费者的需求是低漏电且电池寿命长久的可携式电子产品，而今消费者对无线通讯设备的需求，除了传统的通话和简讯发送功能之外，更希望其具备上网、视讯串流(Video Streaming)、音乐、行动电视、卫星导航等功能。目前，在电池寿命方面，消费者更关心的是操作功耗的多寡，而氮氧化硅材料的闸电容量较低，操作功耗较一般高介电层/金属闸要小，为受到电力限制的产品提供较低的总功耗优势、更佳的成本效益及更低的风险。

台积公司先进技术事业资深副总经理刘德音表示：“我们的客户期待一个高效能、低操作功耗与具有成本效益的技术，可针对他们的市场需要来开发各种可携式消费产品。”

至于28纳米高效能制程(High Performance，28HP)则是台积公司第一个使用高介电层/金属闸的制程，将着重于中央处理器、绘图处理器及可程序逻辑门阵列(FPGAs)等高效能的产品应用，预计于民国九十九年上半年度开始生产。此外，与40纳米泛用型制程(40G)相较，在类似的电力密度下，28HP制程的闸密度增为2倍，速度则高出30%以上。而在28纳米世代之后的更新世代制程，高介电层/金属闸材料将具有明显的优势。

台积公司的28纳米制程目前提供α版的设计套件支持，预计于今年底开始推出快速且频繁的晶圆共乘服务(CyberShuttle™)予客户进行产品试制。

台积公司目前正与客户及设计生态系统合作伙伴密切合作，于近来揭示的开放创新平台(Open Innovation Platform™)上建构一完善的28纳米制程设计基础，目标在于协助客户使用此一制程系列发展众多不同产品的差异化。开放创新平台系由台积公司提供客户及合作伙伴实践创新的最佳平台。