中芯计划明年投产45和40纳米芯片

10月6日消息，中国芯片制造商中芯国际公布了该公司的生产工艺计划。中芯国际计划明年投产45和40纳米工艺的芯片。

据国外媒体报道称，中芯国际还希望2011年投产32纳米工艺的芯片，并表示该公司正在与IBM谈判有关许可32纳米工艺的事宜。中芯国际没有详细披露生产工艺计划。

在65纳米工艺之前，中芯国际都是自己开发生产工艺，中芯国际去年末从IBM许可了45纳米工艺。

中芯国际在各代生产工艺方面都稍微落后与主要竞争对手——特许半导体、台积电和台联电。例如，IBM芯片联盟成员——特许半导体和三星计划明年底发售32纳米芯片。IBM的32纳米工艺采用了高K和金属栅极技术。

中芯国际称对该公司目前的市场形势感到满意，并表示该公司在生产工艺方面是个“快速追随者”。华登国际创投集团创始人、董事长Lip-Bu Tan本周五在“2008年中芯国际技术研讨会”上发言时表示，由于成本更高，65纳米和45纳米工艺的寿命将比以前的工艺更长。

中芯国际并没有停滞不前。中芯国际美国公司总裁萨姆·王在这次会议上表示，“我们在生产工艺方面比竞争对手落后一代，但我们正在追赶上来。”

另外，中芯国际还在逐步退出DRAM芯片业务。