英特尔在硅光电子学取得重大技术突破

12月8日消息，英特尔公司8日对外宣布，其在硅光电子学领域取得了又一项重大的技术突破，这项突破可以基于硅的雪崩光电探测器(Silicon-based Avalanche Photodetector)实现了创世界纪录的高性能，与目前市场上的同类器件相比可大幅度降低成本并提高性能。

英特尔称，此次在硅光电子学上取得的重大技术突破是继英特尔实现快速硅调制器和混合硅激光器等技术后的又一项重大进展。这项技术可在宽带、万亿次计算、传感与安全领域有潜在的应用。

英特尔企业技术事业部电子技术研究室高级研究员亢宜敏博士向新浪科技介绍，特尔研究人员领导的团队成功研制出的硅基雪崩光电探测器，通过探测微弱光信号并将其放大而拥有卓越的灵敏度。这款雪崩光电探测器使用硅和CMOS工艺实现了有史以来最高的340 GHz“增益-带宽积”。这为降低40Gpbs或更高数据传输速度的光学链路的成本开启了大门，同时也第一次证明了硅光电子元器件的性能可以超过现有的使用磷化铟(InP)等更昂贵传统材料制造的光电子元器件的性能。

中国科学院半导体研究所研究员成步文解释说，英特尔研究人员实现的增益带宽积达到的340GHz打破了记录，具有明显的成本优势，这再次证明了Si基材料可以用于制备性能优越、价格低廉的光电子器件，并显示出Si基光子学所蕴涵的巨大应用潜力和广阔的发展空间。

英特尔院士、光电子学技术实验室总监Mario Paniccia博士在一份声明中表示：“这项研究成果再次展示了硅可以用于制造超高性能的光电产品。除了光学通信，这些硅基雪崩光电探测器还可以应用于传感、成像、量子密码学或生物学等领域。”