三星东芝延长半导体专利共享期限

据韩联社报道，三星电子日前发表告示称，与日本东芝就共享两家半导体部门的专利达成了协议。

在NAND型闪存领域位居前二的三星电子和东芝，从2002年9月至今年3月，一直共享半导体领域专利技术。

此次达成的协议延长了专利共享时间，但根据协议并未公开具体共享期限和条款。

三星电子相关人士表示：“为了避免不必要的专利竞争，并加强领头企业间的合作，以及占领市场主导权，决定共享专利技术。”去年，三星电子和东芝在NAND型闪存市场的占有率分别为42.1%和29.3%，分别位居第1和第2，海力士则以12.3%位居第3。