Schiltron与Entrepix合作利用CMP达成3-D闪存制造新架构?

3-D Flash新创公司Schiltron Corporation与专门提供化学机械抛光设备及代工服务的领先供应商Entrepix合作发展使用现有的材料，工具和制程的方法制造3-D Flash，从而利用简单直接的方式扩大产量。 Schiltron 3-D Flash制造方式的最关键工艺的步骤是化学机械设备(CMP)的达成。该公司的联合开发的努力已制造迄今为止最小的矽基薄膜电晶体(Silicon-base thin-film transistors) 。

晶体管结构和低温度预算工艺步骤(low thermal budget process sequence)的变革促使单片(monolithic)3-D Flash预计将逐渐在大容量存储用途取代传统的NAND Flash Memory如MP3播放器，数位摄影和固态硬碟。 Schiltron的制造方式，其中实现CMP关键工艺，产生了栅极长度48纳米， 45纳米栅极宽度和厚度35纳米渠道，已知最小的矽基薄膜电晶体。

Schiltron的创始人兼主席Andrew J. Walker说：“可扩展性的NAND Flash时代即将结束。单片(monolithic)3-D方式将接管并满足这个价值数十亿美元的市场。我们在Schiltron会利用现有的材料和基础设施，并配合Entrepix一站式的代工服务，及专门的制程经验和技术诀窍来进一步证明技术的可行性和构造整体知识并达成这个里程碑。

Schiltron其中一个关键目标是藉由Entrepix在先进的化学机械抛光工艺的专业知识来达成其装置架构概念证明。化学机械研磨抛光在整个装置流程起了以下2个重要关键和可行性：1，第一个栅极(first gate)的构思和形成;2，超薄的渠道(ultra-thin channel)的形成。这两者对于装置功能都是至关重要。

Entrepix技术长Rob Rhoades说：“这个项目的发明很明显的显示化学机械研磨抛光(CMP)工艺有一定特有的产品架构和引发更多新产品的实现。Schiltron也在3D Flash技术跨过和奠定了一大步也代表CMP将在新的材料和下一代产品的研发会将扮演更重要的角色。”

Schiltron，Mountain View， CA，在最近的旧金山国际电子器件会议(IEDM)上首次介绍了其新产品结构，说明新产品如何在替代制造方式提供明显优势会。