英特尔22纳米制程技术最新动态

2009年秋季英特尔信息技术峰会(Intel Developer Forum, IDF)于9月22日至24日在美国旧金山举行。今天，英特尔总裁兼首席执行官保罗•欧德宁(Paul Otellini)展示了世界上第一款基于22纳米制程技术的芯片。英特尔继续不懈地追求延续摩尔定律，让最终用户受益。两年前英特尔展示了基于前一代32纳米技术的测试电路，而此次峰会标志着第三代高k金属栅极晶体管的诞生。此次发布的22纳米技术表明摩尔定律继续有效，正在引领我们前行。

在处理器和其他逻辑芯片使用22纳米制程技术之前，SRAM 作为测试平台证明了22纳米的技术性能、工艺良率和芯片可靠性。 英特尔22纳米技术现在处于全速发展阶段，按既定步调将“Tick-tock模式”推进到下一代。 该22纳米测试电路包括用于22纳米微处理器的SRAM存储器和逻辑电路。 在364兆位的阵列中，有单位面积为0.108平方微米和0.092平方微米的SRAM单元在工作。0.108平方微米的单元为低电压操作而优化;而0.092平方微米的单元为高密度而优化，而且是迄今所知电路中可工作的最小的SRAM单元。该测试芯片在指甲盖大小的面积上集成了29亿个晶体管，密度大约是之前32纳米芯片的两倍。 22纳米尺寸使用的曝光工具波长为193纳米，证明了英特尔精妙的光刻技术。 22纳米技术延续了摩尔定律：晶体管更小，每个晶体管能效(性能/瓦)更高、成本更低。