ARM制成45nm SOI测试芯片 功耗降低40% 时间:2009-10-12 09:22:34 关键字: ARM 芯片 5NM IEEE 手机看文章扫描二维码随时随地手机看文章 [导读]据ARM的研究人员的报道,公司制成的45nm SOI测试芯片和普通相同尺寸工艺相比,功耗可减少40%。该结果在近期的IEEE SOI Conference上发表。 据ARM的研究人员的报道,公司制成的45nm SOI测试芯片和普通相同尺寸工艺相比,功耗可减少40%。该结果在近期的IEEE SOI Conference上发表。 欲知详情,请下载word文档 下载文档