中芯国际携手Synopsys拓展65纳米低漏电工艺技术

Synopsys 5月19日宣布开始提供用于中芯国际65纳米低漏电工艺技术的新思科技经硅验证的和获得USB标志认证的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知识产权(IP)。在65nm技术日渐成为先进IC产品市场主导的今天，中芯的这一举措有助于其进一步拓展65nm产品线，快速量产65纳米低漏电工艺，加快客户的产品上市时间。

DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP专为各种高市场容量移动和消费电子应用而设计的，这些应用的关键要求包括要实现面积最小、低动态和泄漏功耗等特性。此外，DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP内建了调整电路，可支持快速的、芯片加工后的调整，以应对意外的芯片/电路板寄生或工艺变化，而无需用户对现有设计进行修改。这一特性使得设计人员能够提高良品率，并最大限度地降低昂贵的芯片改版成本。

“新思科技经过硅验证的DesignWare USB2.0 nanoPHY IP与中芯国际的低漏电65nm工艺技术相互融合，使得我们双方的客户能够容易地将先进功能集成到可帮助他们满足低功耗要求、实现关键上市时间目标和快速投入量产的工艺中，”中芯国际高级副总裁兼首席业务官季克非表示，“近来，客户充分利用中芯国际65纳米低漏电工艺和新思科技USB2.0 nanoPHY IP在硅晶片领域大获成功，这让我们信心倍增。我们将加强与新思科技的战略和协同关系，利用我们业内领先的集成、功率效率和性价比，为我们的客户提供明显领先的优势。我们期待着与新思科技一如既往地开展持续合作，并向更先进的工艺制程迈进。”