三星宣布其300mm 32nm LP Gatefirst HKMG制程SOC芯片产线已通过验证

时间：2010-06-17 09:22:34

关键字： FIR SOC芯片三星 TE

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[导读]三星电子公司宣布其位于京畿道器兴的300mm晶圆厂的S号产线已经具备了采用32nm LP(低功耗)Gate first HKMG制程生产SOC芯片的能力，这条产线将可用于代工生产客户设计的SOC芯片产品。三星这次启用的32nm LP(低功耗)Gat

三星电子公司宣布其位于京畿道器兴的300mm晶圆厂的S号产线已经具备了采用32nm LP(低功耗)Gate first HKMG制程生产SOC芯片的能力，这条产线将可用于代工生产客户设计的SOC芯片产品。三星这次启用的32nm LP(低功耗)Gate first HKMG制程是由IBM领导下的IBM联合开发技术联盟(IBM Joint Development Alliance)开发出来的。

三星目前已经采用这种32nm LP制程技术制造出了一种基于ARM 1176处理器核心的SOC芯片产品，这种产品比同频的45nm LP制程产品在动态功耗方面下降了30%，漏电功耗则下降了55%。

三星的EDA(电子设计自动化)合作伙伴包括新思科技(Synopsys)，Cadence以及 Mentor公司三家。

据此前Digitimes网站的报道，三星公司计划于年底前将芯片的月产能由目前的2.7万片(按8英寸晶圆计算)提升到4万片，明年月产能则计划达到12.5万片，2012年则会进一步提升到20万片。

相比芯片代工之王台积电年产1000万片(按8英寸晶圆计算)的产能，三星还有很长的距离需要追赶。