南亚科、瑞晶40纳米6月导入　全面反制三星大扩产计画

继三星电子(Samsung Electronics)宣布大手笔资本支出，台系DRAM厂亦不甘示弱，台塑集团旗下南亚科和尔必达(Elpida)集团旗下瑞晶都决定提前于6月导入 42及45纳米制程，较原订计画提前整整1季。南亚科发言人白培霖表示，40纳米世代技术对半导体业者是很大挑战，但对于美光(Micron)与南亚科而言，42纳米是50纳米制程延伸技术，只要跨过50纳米，快速衔接42纳米制程并不难。

面对三星来势汹汹，半导体事业资本支出高达80 亿~90亿美元，台系DRAM厂因应之道就是加速制程微缩脚步，台系DRAM厂现在都卯足劲加速制程转换，提前新一代制程导入时间点。南亚科和瑞晶不约而同将旗下40纳米制程世代，提前于6月导入，相较于原本计画提前整整1季。存储器业者表示，一方面是因为ASML浸润式微影设备(Immersion Scanner)陆续交货，另一方面则是受到三星的刺激，决定要加快新制程速度，免得未来在技术和成本竞争力与三星越拉越大。

南亚科指出，目前12寸晶圆厂3万片产能中，50与68纳米制程各占50%，预计第3季全数转进50纳米，而原本第3季才投片试产的42纳米制程，将提前于6月投片，预计42纳米制程成本结构可较50纳米下降 30%，相当具有竞争力。至于同集团的华亚科42纳米制程进度亦是同步提前，原本计划第4季导入，目前预计9月开始试产。

瑞晶亦决定提前在6月导入尔必达45纳米制程，事实上，瑞晶早就希望在第2季导入45纳米制程，但因ASML浸润式微影设备一直延宕交货，使得瑞晶被迫延后，原本以为要等到第3季，如今确定6月开始导入，预计可赶上第3季底逐渐量产。瑞晶目前主流投片制程为63纳米，预计7月旗下8万片12寸晶圆厂产能可全数转进63纳米，同时亦全力提升45纳米制程良率。

白培霖认为，40纳米制程世代对于所有半导体厂包括DRAM厂、晶圆代工厂，都是很大挑战，要从 60或70纳米直接跳到40纳米制程，技术门槛很高，但南亚科和美光状况不一样，美光42纳米几乎是50纳米微缩延伸版本，美光、南亚科和华亚科都花很多时间转进50纳米，未来在导入42纳米时，技术难度就不会这么高。

瑞晶和力晶目前大量导入63纳米制程，优点是投入极少资本支出，但获得成本效益并不输美光阵营50纳米制程技术，但缺点是采用63纳米制程无法生产2Gb容量芯片，虽然可以用2颗1Gb芯片来堆叠出货，但在封装成本效益及省电上，1Gb芯片还是无法与2Gb芯片相比。

由于三星宣布将投入高达80亿~90亿美元资本支出在半导体事业上，其中一半资金用在升级现有DRAM厂机器设备和制程技术，显见三星对于其46纳米、甚至下一代30纳米制程相当有信心，因此，DRAM市场在2010年下半会面临三星产能大幅增加的严峻考验。南亚科认为，这一波DRAM产业荣景可持续到2011年底或2012年上半，除观察各厂新产能开出时间点，还要看企业换机需求能维持多久。