台积电展望半导体市场：持续保持平均4％的平稳增长

台湾台积电(TSMC)的日本法人——台积电日本于2010年7月1日在东京都内举行了记者说明会，介绍了对半导体市场的长期展望。台积电日本代表董事社长小野寺诚表示，2012年以后“预计年平均增长率为4.2%，将继续保持平稳增长”。该公司认为，虽然业界将半导体的新市场寄望于新兴市场国家，但新兴市场国家的平均售价较低，因此无法成为恢复到以前两位数增长势头的原动力。

台积电预测，2010年半导体市场相对于上年的增长率将为30%。该公司表示，虽然2011年将继续保持增长，但相对于上年的增长率仅为7%。 2012年以后的增长趋势将放缓。台积电提到了以下四个理由。(1)半导体需求有望出现扩大的用途是价格竞争激烈的消费类产品用途;(2)有望成为新市场的新兴市场国家，其电子产品的平均售价较低;(3)半导体部件成本(BOM)在电子产品中所占的比例超过20%，已经达到极限，无望出现增加;(4)遵循摩尔(Moore)法则的微细化步伐今后将会放缓。

另外，包括代工在内的半导体厂商今后将在技术和成本两个方面面临较大的课题。该公司在技术方面提到了以下两个课题：(a)即便推进技术更新换代，也难以缩小晶体管的栅长;(b)每推进一代技术换代，泄漏电流就会增大，半导体芯片单位面积的功耗会持续增加。在成本方面，存在着(c)研发成本的增大和(d)半导体工厂建设成本的增大这两个课题。关于(c)课题，台积电预计在22/20nm工艺中，工艺开发成本和设计开发成本将分别达到130nm工艺的 7倍和14倍。在(d)的课题中，采用450mm晶圆的半导体工厂建设费用，将达到150mm晶圆的工厂的25倍。

由于上述课题，预计自己拥有最尖端工厂的半导体厂商数量将趋于减少。因此，像台积电这样“存留下来的少数半导体厂商需要完成的任务将越来越多”(小野寺)。为了应对这种情况，台积电今后将把研发工作的强化和生产规模的扩大作为长期目标加以推进。在研发方面，2010年将把投资额和员工增至2006年的 2倍和3倍。在生产规模方面，目前已将两个300mm工厂(“Fab12”和“Fab14”)的产能分别提高至10万张/月以上，新的300mm工厂 “Fab15”将在2010年夏季开工建设。Fab15“将以在2011年启动为目标而迅速着手建设”(小野寺)。

今后，台积电计划“进一步加深与客户之间的紧密合作”(小野寺)。具体做法是从开发初期阶段开始就进行合作，以便致力于在晶体管水平上按照不同用途优化LSI性能与功耗之间的平衡。从利润率的观点来看，“判断哪一代技术何时确立将变得更为重要”(小野寺)。