通富微电与富士通合建研发中心

通富微电今日公告，为深化与富士通半导体株式会社的合作，促进双方的科技创新和进步，拟在合作、平等、共赢的基础上建立合作研发平台，利用半导体产业快速发展的机遇加快先进封装技术成果的转化及产业化。2010年8月30日，双方签署了《合作设立研发中心意向书》。

资料显示，富士通半导体与通富微电第二大股东富士通中国同为富士通株式会社的全资子公司，同受富士通株式会社控制，为公司关联方。

据公告，研发中心设在通富微电，研发中心设主任一名，副主任两名。主任由通富微电董事长石明达担任，副主任分别由双方各推荐一名担任。富士通半导体委派3-4 名研发人员在研发中心工作。富士通半导体委派人员的薪资待遇参照现行委派人员执行。

同时，双方共同协商制定研发中心的研发战略、方向及项目。在今后1-2 年内，研发的重点是Fan-Out WLP、Low Cost FCBGA等技术。研发过程中形成的专利技术根据贡献度确定专利所有，双方均可使用该项专利技术。

对于此次合作，公司表示，研发中心的设立，将加大研发新型封装产品和技术的力度，有利于公司综合技术水平的提升，有利于加快先进封装技术成果的转化及产业化。同时，对公司优化产品结构，实现产品技术处于行业领先地位的目标也会产生实质性的积极作用。