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[导读]联电23日结算前年10月成立的宏宝科技,将宏宝的3D芯片技术团队移植到联电的研发部门。市场预期,未来3D IC可望成为联电在28纳米上的重点产品,拉近与台积电的距离,亦可望对尔必达、力成合作案有加分作用。联电则表示

联电23日结算前年10月成立的宏宝科技,将宏宝的3D芯片技术团队移植到联电的研发部门。市场预期,未来3D IC可望成为联电在28纳米上的重点产品,拉近与台积电的距离,亦可望对尔必达、力成合作案有加分作用。

联电则表示,这项做法不但可使投资成本降低,转为内部之后,也对未来开发3D芯片拥有成本上的优势。

3D芯片是28纳米以下先进制程的重要发展趋势,主要是透过芯片立体堆栈的模式,让不同不同基板的晶以硅穿孔(TSV )堆栈在一起,如此一来,可达到体积小及低耗电需求。

联电是在前年10月19日成立宏宝科技,当时锁定影像感测组件及内存产品,并由联电旗下100%诚创投及真宏投资共持有七成股权,且由执行长孙世伟担任董事长,目前全公司人员有100多人。经过清算,将优先把技术背景为主的工程师纳入联电。

联电并于去年6月与尔必达、力成宣布一起合作,针对包括28纳米的先进制程,提升3D IC的整合技术,透过尔必达提供的DRAM技术、力成的封装技术,以及联电的先进逻辑技术,建立完整解决方案。

联电表示,目前与尔必达、力成的合作仍在进行,预计2012年产品导入量产,清算宏宝,并不影响与尔必达、力成的合作;在联电内部成立3D芯片研发团队后,也许对与尔必达、力成合作案有加分作用。

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