2012年光刻掩膜板市场预计可达32亿美元

SEMI研究报告最新研究报告显示，2010年全球半导体光刻掩膜板市场达到了30亿元规模，预估2012年这一数字可达32亿美元。由于有2008和2009连续两年的签约保障下，半导体光刻掩膜板市场在2010年增长了10%，而未来两年光刻掩膜板市场则预计将有7%和2%的成长。

驱动此一市场成长的关键主要来自于先进技术持续进行微缩(小于65纳米)，以及亚太地区制造业的蓬勃发展。以专有光刻掩膜板(captive photomask)厂商而言，在2006年其仅占光刻掩膜板市场30%的比例，但在2010年，该数字已成长至40%。传统的光学光刻技术将持续推动下一代光刻技术方案的推陈出新，包括超紫外光(EUV)、无光刻掩膜板光刻、和纳米压印(nano-imprint)。而对于45纳米制程节点而言，浸润式光刻(immersion lithography)可说是其首选技术。另外针对sub 45纳米制程节点，透过显影光源优化(Source Mask Optimization，SMO)的应用将可扩展单次曝光程序，而双重曝光(double patterning)技术也被视为重要方案。

为了协助将光学光刻技术延伸至22纳米节点尺寸，除了双重曝光和SMO之外，设备制造商还打算利用运算光刻

(computational lithography)的技术。而一再延宕、迟迟不见芳踪的EUV技术，则至少要等到16纳米节点后才有可能出现，而且届时此一革命性的新技术是否会被广泛采用，还得取决于成本考虑，以及能否形成新的供应链。然而，在一些关键领域中，譬如检测设备、光源功率(source power)、光刻掩膜板和光刻胶(resist)等，EUV还是有所进展的。虽然EUV技术领域已逐步取得进展，但却也有越来越多的论调认为应该将EUV技术作为协助193纳米浸润式光刻进一步微缩的补助手段，以突破后者在物理特性上的局限。

而对于大批量光刻掩膜板(merchant photomask)供货商来说，经济方面的不确定性因素远比技术问题更让人头痛，随着 线宽必须不断缩小的趋势下，厂商面临诸多艰巨的挑战，更多先进的光刻掩膜板工具和材料必须应运而生，但却仅有部份的客户会转移至更小尺寸的产品，而且似乎对于专有光刻掩膜板厂商的依赖也日益加深，因此批发式光刻掩膜板产业必须在一个正在萎缩的市场上找到它的平衡点，既能进行技术升级发展也能兼顾资本成本。

SEMI最近发表了《Photomask Characterization Summary》，对2010年的光刻掩膜板市场提供详细的分析，并以全球七个主要地区，包括北美、日本、欧洲、台湾、韩国、中国、以及其它地区进行市场分析，该报告还囊括每一地区从2005至2012年间的相关数据数据。