韩存储器芯片微细制程比重占优势

据韩国媒体报道，韩国半导体业者在衡量存储器芯片业者竞争力高低的微细制程比重大占优势，维持在全球DRAM市场的主导权，尤其40纳米等级微细制程扩大，使韩国企业市占率随之扩大，在2011年第1季写下不错成绩，其它DRAM业者因转换制程时机较晚，第1季营收多不理想。

据报道，三星电子(SAMSung ElectrONics)和海力士(Hynix)等韩国DRAM半导体业者40纳米等级制程比重超过50%以上。而美国美光(Micron)、日本尔必达(Elpida)、台厂南亚等竞争业者40纳米等级制程比重未满20~40%，华亚和力晶等比重则停留在约10%。

最早转换微细制程的三星将50纳米等级制程减少21%，并将40纳米制程大幅提升至75%。且三星也是DRAM业界中唯一将制程扩大到30纳米等级的业者，比重占4%。

海力士则紧跟在三星之后。海力士的60纳米制程比重占1%、50纳米制程比重占34%、40纳米制程占65%等，其中以40纳米制程占比重最高。

美光、尔必达、南亚等竞争业者仍以50纳米制程比重较高，美光50纳米制程比重占72%，南亚则接近70%。尔必达40纳米制程比重占41%，虽然整体来说40纳米制程占比最高，但60纳米和50纳米制程合计占比达60%，比重过半，与韩国业者相比仍有很大差异。

韩国业者逐渐将生产主力转换到40纳米制程，制程转换已大部分整理完成，美光则还有1%采70纳米制程，7%为60纳米制程，尔必达也还有25%使用60奈米制程。

韩国相关业者表示，尔必达宣布2011年7月将会投入20纳米制程量产，但目前转换到40纳米制程的比重仍偏低，甚至无法进入30纳米制程，较难立即转换到20纳米制程。韩国业者也认为，60纳米制程比重至今仍达4分之1，可能是转换新制程上遭遇瓶颈的间接性证据。

除此之外，台厂华亚科和力晶40纳米制程比重各为13%和11%，在转换微细制程方面速度仍偏缓。