尔必达与联电力成合作开发TSV产品
时间：2011-06-01 09:22:34
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[导读]看好3D市场，DRAM大厂尔必达日前宣布，将与台湾力成科技、联华电子正式签约，携手展开TSV产品的共同开发;尔必达表示，三方还将针对3D IC整合技术、28纳米先进制程TSV(Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔)进行开发与商
看好3D市场，DRAM大厂尔必达日前宣布，将与台湾力成科技、联华电子正式签约，携手展开TSV产品的共同开发;尔必达表示，三方还将针对3D IC整合技术、28纳米先进制程TSV(Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔)进行开发与商务合作。
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