格罗方德明年推14nm制程 缩短与台积电制程技术差距

晶圆代工厂格罗方德(GlobalFoundries)今年将投入44~45亿美元资本支出，除了加速美国纽约州12寸厂Fab8导入量产时程，也计划明年开始提供客户14纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程，缩短与竞争对手台积电之间的制程技术差距。

根据市调机构ICInsights统计，格罗方德去年已是全球第15大半导体厂，去年全年营收45.6亿美元，年成长率高达31%，虽然营收规模只有龙头大厂台积电的三分之一不到，但已拉开与联电间的差距，营收差距扩大到8亿美元，等于是稳坐全球第2大晶圆代工厂宝座。

格罗方德今年决定投入44~45亿美元资本支出，除了要加快纽约州12寸厂Fab8导入量产，也要加快制程技术的微缩，以利积极争取代工订单。格罗方德现在是超微(AMD)主流级加速处理器(APU)主要代工厂，去年也已成功拿下高通(Qualcomm)、博通(Broadcom)的手机芯片及ARM应用处理器代工订单。

格罗方德先进技术架构副总裁SubramaniKengeri表示，英特尔跨入晶圆代工市场，而且开始推出低功耗智能型手机及平板计算机芯片，现在的手机芯片厂的确感受到竞争压力与日俱增。由于英特尔3D架构晶体管制程技术领先全球，客户希望格罗方德能加快FinFET制程研发，因此，不仅明年推出14纳米14XM制程，也希望能够在2015年推出10纳米的10XM制程。

格罗方德纽约州Fab8也希望能在今年正式进入量产阶段。该厂已完成厂房兴建及机台移入，总月产能达到6万片，将支持28纳米以下先进制程，而格罗方德也在同一地点，投入20亿美元兴建技术研发中心(TDC)，缩短技术研发及量产间的时间差。