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[导读]不让韩国三星专美于前,日本半导体大厂东芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布,将共同斥资4,000亿日圆(约新台币1,221.2亿元),于日本三重县四日市兴建储存型快闪存储器(NAND Flash)新厂,导入最新16至17纳米制程,使总产能

不让韩国三星专美于前,日本半导体大厂东芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布,将共同斥资4,000亿日圆(约新台币1,221.2亿元),于日本三重县四日市兴建储存型快闪存储器(NAND Flash)新厂,导入最新16至17纳米制程,使总产能提升20%,明年4月量产,为在台后段封测厂力成(6239)营运挹注成长动能。

这是三星在上月宣布调高今年半导体资本支出后,东芝近两年来首度做出增产决定,因为苹果中低价手机和大陆手机的强劲需求。

研究机构统计,去年全球NAND Flash出货量,三星居全球之冠,市占率37%;东芝排名第二,市占率31%。据了解,受惠日圆贬值,以及苹果和大陆品牌下单量攀升,加上先前调节性减产,让东芝NAND Flash已无法满足市场需求,决定7月起开始增产。

稍早东芝表示,为确保NAND Flash次世代制程产品及3D存储器的生产空间,将于旗下位于三重县四日市第三座12寸NAND Flash厂「Fab 5」的第二期工程兴建新厂,8月底动工兴建,2014年夏天完工,但新厂工程的设备导入时间、量产时间、产能及生产计划等细节,将视市场动向决定。

东芝的Fab 5第一期工程厂房由东芝投资兴建,包括东芝和美商新帝(SanDisk)合资的NAND Flash生产线。随着三星决定加码扩产,将今年资本支出上修至24兆韩元,其中13兆韩元用于强化DRAM、NAND Flash及逻辑IC竞争力,让东芝和晟碟决定加快建厂脚步。

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