Alchimer 与 CEA-Leti 签署协作合约

以评估高深宽比TSV 应用的金属化制程

湿式纳米薄膜沉积工艺能够以低持有成本提供20:1深宽比TSV

3D 整合正朝着中段钻孔(via middle approach)的做法发展，即在前端工艺之后，但却在堆叠之前形成TSV。一些应用正处于研发阶段，导致TSV技术的限制和不同规格。 Alchimer 的技术显示出突破现有障碍，实现高深宽比TSV 的潜力。此次协作将评估其技术的潜力及其大批量生产的适用性。

Alchimer 的执行长Bruno Morel 表示：「目前的技术，例如PECVD 隔离及iPVD 金属化，存在性能限制，会将可实现的TSV 限制在10:1 的深宽比。我们的3D TSV 产品已明确证明，其能够以远远低于目前方法的成本提供20:1 的深宽比。现在关键是要验证该产品对于300mm 大批量生产的充分潜力，并研究其与整体3D 整合制程的相容性。Leti 领先的3D 专业技术和世界一流的基础建设将使我们能够做到这一点。」

Leti 的硅技术部主管Fabrice Geiger 补充说：「与Alchimer 协作完全符合我们为业界提供创新解决方案的策略。Alchimer 的eG 技术是大有前途且具有成本效益的突破性解决方案，可以应对未来3D TSV整合的挑战。透过此次协作，Alchimer 公司将有机会获得Leti 在3D TSV 整合领域的专业技术及其世界一流的300mm 3D 平台能力。」

eG 技术建立在表面化学配方与工艺基础之上。它应用于导体及半导体表面，在特定前体分子与表面之间的原位化学反应的作用下，使各种材料的薄涂层能够自我定向生长。此工艺能够实现保形、阶梯覆盖与纯度的结合，这是干式制程所无法匹敌的。

Alchimer, SA 宣布与法国研究机构CEA-Leti 达成协作合约，以评估和实施Alchimer为300mm 大批量生产的湿式沉积工艺。该专案将为隔离层、阻挡层和晶种层评估Alchimer 的Electrografting (eG™) 和Chemicalgrafting (cG™) 制程。 Alchimer 的湿式沉积工艺已经证明，因其无论通过形貌、直径还是深度均能以保形方式涂覆，所以可以实现20:1 深宽比的硅通孔(TSV)。