性能提升90% 台积电16nm工艺芯片明年上马

在芯片技术突飞猛进的当下，所有的芯片厂商都在不遗余力的改进自身的产品工艺，台积电已经决定将16nmFinFET工艺的试产时间从2014年提前到2013年底，甚至还希望10nm的芯片能在2015年底用极紫外光刻技术制造。GlobalFoundries、三星电子这两家代工厂也都已经宣布很快就会上马FinFET立体晶体管技术。

只要试产的良品率过关，台积电量产16nm的计划估计最早会在明年年中实现。台积电首席技术官孙元成(JackSun)日前表示：“我们对16nmFinFET工艺在明年的黄金时代(量产)充满信心。”

据悉，16nm目前正在使用128MbSRAM进行测试，核心电压0.8V，I/O电压1.8V，良品率较预期更高。标准单元、内存单元等基础性IP的准备工作已经完成，关键内部模块的测试在6月份也会开始。

实际上，台积电此举也并非冒进。日前Imagination刚刚宣布和台积电达成进一步的战略合作伙伴关系，PowerVR6系列移动GPU未来会使用台积电的16nmFinFET工艺生产，而几乎同时，ARM和台积电也联合宣布，64-bitARMv8架构的Cortex-A57芯片已经成功完成了第一次流片，所用工艺正好也是台积电的16nmFinFET。这些合作显然给了台积电的工艺进步带来了动力。

台积电估计，64-bitARMv8核心在16nm工艺上的性能将比28nm32-bitARMA9高出多达90%，而相比之下20nmA15核心只能提速大约40%。

关于16nm和20nm两种制成周期相靠太近的问题，台积电的官方说法是等到2017年的时候，台积电20nm芯片的产量就会追上28nm。但有分析人士认为，20nm给芯片厂商带来的优势有限，所以台积电很可能只会将其作为一种过渡工艺。