英特尔CTO:14纳米芯片将在1至2年内量产
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北京时间12月5消息,据台湾《电子时报》报道,英特尔首席技术官(CTO)贾斯廷·拉特纳(Justin Rattner)12月4日表示,英特尔的14纳米芯片技术开发正在按计划实施,将在1、2年内开始批量生产。18英寸晶圆的开发正在通过与合作伙伴合作进行。
拉特纳还指出,英特尔积极地推动技术进步将使摩尔定律再延长10年。
在2013年年底,英特尔将进入14纳米处理器(14纳米工艺代码名称为P1272)和系统芯片(P1273)时代。同时,英特尔将扩大在美国俄勒冈州的D1X Fab加工厂和亚利桑那州的第42加工厂的投资,并且扩大在爱尔兰的第24加工厂的投资。从2015年开始,英特尔将逐步进入10纳米、7纳米和5纳米工艺时代。
至于英特尔的竞争对手,三星已经确定在2013年开始应用20纳米工艺,并且已经在研制14纳米节点。台积电的20纳米工艺将在2013年下半年开始小批量生产,首先开始生产基于3D的FPGA(现场可编程门阵列)芯片。
Globalfoundries以前宣布其14纳米FinFET(鳍式场效晶体管)工艺将在2013年年底开始试生产并且在2014年开始大批量生产。
至于18英寸晶圆,英特尔已经向荷兰的ASML公司的EUV技术进行了投资。相关的技术将在2017年开始投产。