台积研发费用400亿创历史新高

晶圆代工龙头台积电年度技术论坛在新竹登场，为维持技术领先地位，内部确定今年研发费用占年度营收比重8%，业界推算研发费用上看400亿元，创下历史新高，年增逾18%，全力防堵竞争对手三星和英特尔渗透晶圆代工市场。

根据行政院主计总处的统计，民国99年时，我国研发经费约占GDP约2.9%，较98年度的2.94%下滑，政府希望提升至3%。由此可见台积电的研发费用比重之高。

台积电年度技术论坛今天展开，董事长张忠谋不会出席，但在年报中确定今年研发费用将继续提升，让客户对台积电在技术竞争力更具信心。

今年是台积电连续第4年研发费用年增两位数，根据最新的台积电年报，今年研发费用占总营收比约8%，比去年7.9%微幅增加，法人预估今年台积电在28纳米需求大幅带动下，年营收可挑战5,000亿元历史新高，换算今年研发费用将上看400亿元。

台积电日前法说已大幅提高资本支出，从60亿美元拉升到80亿至85亿美元，调升幅度最高来到41.6%，主要用以28纳米的扩增与20纳米提前导入。去年台积电研发费用首度突破10亿美元，年增近15%，今年研发费用来到400亿元，等于年成长率上看18%以上。

台积电研发费用将用于下一世代先进制程的开发，其中20纳米预计今年底生产，3D-IC将预计民国101年至102年量产，14纳米则预计民国103年量产。ICInsights曾统计，台积电2010年因为研发费用年增44%，来到9.45亿美元，首度挤入全球第十大研发费用之半导体厂，在高研发支出政策持续执行下，台积电将稳居全球半导体研发支出金额最高的前十大业者。