半导体制程技术迈入3D 2013年可视为量产元年

时序即将进入2012年，半导体产业技术持续进行变革，其中3DIC便为未来芯片发展趋势，将促使供应链加速投入3DIC研发，其中英特尔(Intel)在认为制程技术将迈入3D下，势必激励其本身的制程创新。另外在半导体业者预期3DIC有机会于2013年出现大量生产的情况下，预估2013年也可视为是3DIC量产元年。

3DIC为未来芯片发展趋势，其全新架构带来极大改变，英特尔即认为，制程技术将迈入3D，未来势必激励技术创新。英特尔实验室日前便宣布与工研院合作，共同合作开发3DIC架构且具低功耗特性的内存技术，此一技术未来将应用在Ultrabook、平板计算机、智能型手机等行动装置，以及百万兆级(Exascale)与超大云端数据中心(CloudMega-DataCenters)。

工研院认为，英特尔拥有多项技术专利，与工研院3DIC研发基础相互结合，应可使台湾产业关键自主技术，进一步带动相关产业链发展。

封测业界认为，近期半导体供应链在投入3DIC研发方面有加速的现象，很多厂商都加入研发的供应链中，包括晶圆厂、封测厂等，在3DIC的研发费用比2010年增加许多，这对发展3D产业是好事，预测3DIC应可望于2013年出现大量生产的情况，应可视为3DIC的量产元年。

日月光指出，在逻辑与内存芯片接合的接口标准即WideI/OMemoryBus，已于9月底尘埃落定，加入的半导体成员达上百家，如此将有助于加快厂商开发时程，促使3DIC尽早展开量产。

力成2011年完成研发中心及业务部门组织的改造，并且于新竹科学园区建立晶圆级封装、3DIC先进制程及产品研发的实验工厂，同时也开始兴建3DIC先进制程量产工厂。该公司董事长蔡笃恭认为，TSV等3DIC将于2013年量产。