新日本无线和UMCJ的半导体制造协同生产完成

新日本无线株式会社基于和UMCJ株式会社的合作协议，已经开展进行了半导体制造（前工程的晶片工艺制造）的协同生产，并完成了晶片工艺的开发、产品开发及生产体制的健全，现在样品发货已经开始。

开发的工艺技术

协同开发的工艺技术是基于UMCJ的8inch 0.35μ CMOS工艺技术，其植入了新日本无线杰出的双极元件和BCD工艺技术里主要的功率元件DMOS元件（Nch、Pch），开发的有50V耐压BCD工艺技术和35V耐压CMOS工艺技术，两种产品。50V耐压BCD工艺技术是使用了UMCJ平坦化技术而达到最大5层布线及上层3μ厚度的金属膜布线，35V耐压CMOS工艺技术是在0.35μ CMOS工艺技术的基础上实现了高耐压的工艺技术。

开发的产品

①50V耐压的BCD工艺技术产品

以开关稳压器、串联稳压器为主，于2011年6月已开始产品出货了。今后还会继续开发LED驱动器、电动机驱动器，并投入市场。利用此50V耐压BCD技术而开发的电源IC及电动机IC产品使Wide Input Rang Products（宽广输入范围的功率元件用IC）得到扩充，从而扩大了事业领域。计划到2011年度上半期为止发布15款产品，到2011年度末为止共发布30款产品。

②35V耐压的CMOS工艺技术产品

以音频放大器为主，于2010年8月已开始产品出货了。今后还会继续开发LCD驱动器、音频用电子音量控制器，并投入市场。计划到2011年度末为止共发布15款产品。

生产体制

为了提高这些协同生产产品的生产效率，在制造后工程的主力工厂子公司佐贺电子株式会社里设置了8inch晶片生产线，增设了各种生产设备，汇集了从晶片测试到组装的生产工程。

此外，为了提高产品品质和实现生产稳定化，把UMCJ官山工厂的元件参数变动数据和佐贺电子的晶片信赖性测试数据汇总，然后由川越制作所一并管理的系统已经构建完成。