台积电拟2013年用ARMv8作为16nm FinFET制程的验证

台积电在上周二的年会上公布了该公司的路线图，其中提到他们将会在明年年底开始尝试用 ARM 的第一个 64-bit 处理器(ARMv8 指令集)来作为 16nm FinFET 制程的验证。

按照这份路线图，台积电计划在 2013 年 11 月开始早期性或者说风险性 16nm FinFET 制程生产，这样的进度计划类似于 Globalfoundries 的 2013 制造 20nm 芯片、2014 年生产 14nm FinFET 进程。

据介绍，台积电的 16nm FinFET 制程在 back-end 方面类似于 20nm 金属门 SOC 制程，这样的做法也许可以让晶圆厂避免全新工艺节点而出现的复杂度和成本。

台积电将会在明年 1 月份完成 16nm 制程的芯片设计包，11 月试产，而量产化的芯片物理设计递交将在此后的 4~5 个季度后。

FinFET 制程的漏电流特征和 20nm 一样，但是性能比 20nm 制程可以提升 35%，供电缩减 35%。