严峻挑战——紫光携手武汉新芯共创长江存储

 对于中国发展存储器产业，业界目前最为关注的仍是专利技术的获取。此前，武汉新芯在NAND Flash上有所布局，包括与Spansionw合作开发及专利交叉授权3D-NAND Flash技术。业界传出的消息为，正在开发32层堆叠的3D NAND，计划2018年上半年实现量产。此外也有消息称，与美光洽谈技术授权，甚至称有可能采取类似美光与华亚科合作的模式(美光技术授权，并包下华亚科所有产能)。相信，在紫光集团与武汉新芯携手之后，将加大新公司与技术授权来源美光的谈判优势，一定程度上有望加速获得如美光的第三方技术授权。

紫光集团与武汉新芯携手的传闻终于落地。根据近日双方发布的消息，由紫光集团和武汉新芯联手组建的长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)已于7月26日注册成立。这意味着中国最大的存储产业基地初见雏形。对此事件业界反响普遍持正面态度。清华大学微电子学研究所所长魏少军认为，从目前的股权安排来看，可以说既照顾了武汉新芯的现有状况，也兼顾了未来发展需要，既有利于发挥“国家集成电路产业投资基金”的政策主导性作用，也可以充分发挥紫光集团的市场化作用。

然而，长江存储未来将要面临的挑战仍然严峻，包括国际竞争环境，国内的市场接受度等，特别是在存储器产品的开发生产、专利技术的获得以及市场竞争等关乎企业未来成败的几个方面，新公司将会如何应对呢?

3D NAND +DRAM，产业链整合值得观察

“长江存储”成立的消息近来已在业内持续发酵，业界关注的重点首先仍在存储产品的开发与生产上。毕竟这是一家企业生存发展的基础。

对此，研究机构DRAMeXchanGE研究协理杨文得指出，中国厂商近一年来通过布局闪存产业所展现的规划力、执行力与弹性均不容小觑，武汉新芯原为NOR 闪存生产厂，在生产经验、厂房与产能建置等基础建设领域有所擅长，而紫光集团则在资金募集及国际合作等方面有过人之处。通过两强携手整合资源，能使中国闪存产业投资的整体资源分配更加集中，有助于中国建立产业自主性。

如果进一步分析可以发现，武汉新芯在3D NAND上已表现出一定技术实力。武汉新芯执行副总裁、商务长陈少民此前接受记者采访时表示，2015年武汉新芯已经在3D NAND开发上取得进展，具有9层结构的三维存储器芯片下线。他们有信心在2018年存储器基地项目量产时，推出具有市场竞争力的产品。

而根据武汉新芯今年3月启动“国家存储器项目”时发布的发展规划，2020年产能目标为30万片/月，其中3D NAND 20万片/月、DRAM 10万片/月。

对此，Gartner研究总监盛陵海表示，如果武汉新芯在3D NAND上有一定基础的话，紫光进入有可能使新公司在DRAM上取得一定进展。紫光集团2015年收购了国内唯一一家DRAM设计公司西安华芯，同时我国台湾地区存储器生产厂华亚科前董事长高启全亦加入了紫光集团。

此外，有关存储器产业链的整合也将是一个看点。紫光集团此前已经在存储产业链方面进行了一定布局，2015年斥资71亿元人民币成为紫光国芯的控股股东。紫光国芯除拥有FPGA、智能卡和安全芯片等传统市场外，也是紫光集团进入存储芯片领域的平台。下一步紫光集团如何将此前的产业链布局与武汉新芯的晶圆制造整合，值得观察。

与美光合作，“华亚科模式”并非最优选择

对于中国发展存储器产业，业界目前最为关注的仍是专利技术的获取。此前，武汉新芯在NAND Flash上有所布局，包括与Spansionw合作开发及专利交叉授权3D-NAND Flash技术。业界传出的消息为，正在开发32层堆叠的3D NAND，计划2018年上半年实现量产。此外也有消息称，与美光洽谈技术授权，甚至称有可能采取类似美光与华亚科合作的模式(美光技术授权，并包下华亚科所有产能)。相信，在紫光集团与武汉新芯携手之后，将加大新公司与技术授权来源美光的谈判优势，一定程度上有望加速获得如美光的第三方技术授权。

但是，盛陵海却表示，对中国企业来说，其实“华亚科模式”并不是最优选择。中国发展存储器产业，强调的是自主可控。而华亚科模式在短期内虽然有助于企业在市场上较快立足，但是从长远来看，也会限制企业的成长。半导体专家莫大康在接受记者采访时也表示，不倾向于采用“华亚科模式”。中国发展存储器产业，应当更加强调自主创新。

产能扩张，市场因素为成败关键

如果资金与技术能够跟上，存储器产品的开发与生产其实并没有太大悬念，最关键仍是未来生产出的产品与价格能否为市场所接受。根据陈少民的估算：“每个晶圆片可切割芯片700颗～800颗。如果按月产能20万片计算，届时武汉新芯的产能约占全球市场的11%～13%。”如果不计算紫光加入带来的变化因素，仅按这个市场目标，是颇具雄心的。

值得注意的是，近几个月以来，国际半导体巨头已经纷纷加码投资先进存储芯片项目。在NAND Flash方面，三星除西安厂的投资外，韩国平泽厂区也规划新的3D NAND Flash产能。东芝电子与闪迪(SanDISk)在日本Fab2厂的产能持续增加，新厂可望在2018年下半年投产最新制程的3D NAND。SK海力士则除现阶段M11与M12厂外，M14厂第二阶段3D NAND的生产也将从明年第一季度开始进行。如果加上武汉新芯2017年年底至2018年量产的3D NAND，未来，全球在3DNAND的大战看似己不可避免。

魏少军在接受媒体采访时曾谈到“在长江存储启动投资后三年左右的时间，将是大家最难受的时候”，其中所指的正是这个产品生产出来并推向市场的关键时期。届时，必然会有一场激烈的市场争夺。“在这种情况下，紫光集团与武汉新芯两强携手，有利于渡过这个难关。这包括紫光集团在资金募集方面的能力。同时，国家集成电路产业投资基金应当发挥政策主导性的作用。”莫大康指出。

此外，根据DRAMeXchanGE数据，在NAND Flash产业方面，2011年至2016年NAND Flash需求的年复合增长率高达47%。而受益于3D NAND Flash的制程升级加速，SSD的价格开始滑落到厂商的甜蜜点，SSD在笔记本电脑的渗透率在2018年全年度将超过50%，而服务器/数据中心等级的固态硬盘也将以每年20%的增长率快速增长。在SSD的带动下，NAND Flash的需求量可望在未来10年内维持强劲的增长态势。市场增长也利于产能的消化，有助于中国存储企业的立足与发展。