瑞萨领先业界开发出40nm工艺的MCU混载闪存技术

试制的40nm闪存混载芯片

瑞萨电子2011年12月14日宣布开发出了40nm工艺的MCU混载闪存技术。采用该技术的首款产品——车载闪存混载MCU预定2012年初秋开始样品供货。

目前正在量产的闪存混载MCU，即使是最高端产品也只微细化到90nm工艺。作为新一代产品，其他竞争公司发布了65nm或55nm工艺的技术开发，但发布40nm工艺技术的公司“我们是第一个”（瑞萨电子）。瑞萨将闪存工艺从90nm一举微细化至40nm，以此获得在该领域的技术优越性。

混载闪存采用了分裂栅（Split Gate）构造的MONOS型单元。瑞萨从150nm工艺开始利用该技术。据该公司介绍，在分裂栅构造的MONOS型单元中，由于控制栅极和存储器用栅极并列配置，因此尽管单元面积会增大，但由于控制栅极一侧可利用逻辑LSI用晶体管，因此具有防止微细化后源极-漏极间击穿（Punch Through）等的多种优点。另外，该公司的低速混载闪存采用了分裂栅构造的浮栅型单元。

瑞萨此次使用40nm工艺制造技术，试制并评测了代码存储容量为2.5MB、数据存储容量为128KB的闪存单元阵列。代码存储用途的读取速度为120MHz，比原来的90nm产品提高了20％。通过实现微细化，减小了字线和位线的寄生电容，实现了高速化。擦写次数为1000次，与原来相同。而数据存储用途的读取速度与原来相同，为10MHz，擦写次数为比原来增加25％的12万5000次。

数据保存时间方面，代码存储用途和数据存储用途均可保证20年。封装产品的可读取温度范围方面，空气温度为-40～125℃，接合温度为-40～150℃。不过，裸片封装时最大可承受170℃的接合温度。