道康宁与东京应用化学合作开发含硅双层光阻

    美国道康宁公司与东京应用化学工业 (Tokyo Ohka Kogyo，TOK) 日前宣布，双方已合作开发并在市场上推出新的双层光阻。这种新材料将硅聚合物用于成像层 (imaging layer) 以提高蚀刻选择性，满足65奈米和更先进制程的微影要求。由于新光阻的高硅含量，因此也可免除多使用一层硬光罩的需要，简化了次65奈米的制程。

    此一突破性材料的推出让半导体产业的光阻技术与193奈米微影制程向前迈进了一大步。将道康宁创新的硅聚合物加入东京应用化学的感光材料，东京应用化学藉此推出这种全新的光阻材料，由于可免除硬光罩层的需要与其相关制程步骤，因此提供了次65奈米微影制程高成本效益的解决方案。

    半导体产业想将193奈米微影技术扩大应用到45奈米以下的先进制程，因此需要很薄的成像层以达到所需的解析度和制程适用范围 (process window)。此外，它还要求更高的蚀刻选择性，以将更小的电路图案成功转印到目标晶圆上，而以有机化学為基础的现有光阻材料多半无法提供所需的蚀刻选择性，所以通常会与许多其它不同层一起使用，包括可提供抗蚀刻能力要求的硬光罩层。

   东京应用化学已开始供应这种新光阻，此一新产品同时也可将微影制程的气体释出 (outgassing)　－ 降到无法侦测出来的低水准。气体释出是指曝光过程中化学物质缓慢释放的现象，这会让硅光阻材料释出硅物质污染曝光设备的光学零件，过去常造成这类材料应用时产生问题。

   “我们与东京应用化学的合作使我们能将硅聚合物加入光阻材料，同时避免气体释出造成硅材料无法用于光阻的老问题，这些都是过去无法达成的事。”道康宁电子与先进技术行销总监Tomonobu Noguchi表示，“下一代微影技术还要好几年后才会商业化，因此道康宁与东京应用化学正携手合作，以确保光微影技术的应用范围扩大到65奈米以下的先进制程。”

    此一合作开发出的光阻已证明同时能用于干式 (dry) 和浸入式 (immersion) 微影制程，浸入式微影是一种先进的影像技术，正逐渐获得45奈米以下先进制程市场的接受。东京应用化学已成功利用新光阻在浸入式微影环境制造出35奈米的导线/间距图案。

    道康宁与东京应用化学自2002年起即展开一项合作协议，共同开发先进的硅基光微影材料。这项合作结合了东京应用化学的先进微制程 (microprocess) 技术与在光微影应用的专业知识，再加上道康宁在硅材料领域创新与制造能力的优势。微影技术开发作业则是在东京应用化学位于日本神奈川县的研发中心中进行。