ATLab开发出多点触控式电阻膜技术

韩国ATLab Inc宣布开发出电阻式多点触控(Resistive Multi Touch，R-MT)技术，Han wool Information Tech (HWIT)公司将负责制作产品。据ATLab表示，其技术具备电阻膜触控屏幕的低价优势，且性能可超越iPhone。

ATLab开发的电阻膜R-MT技术为100%数字电路，可达到快速反应及减少功率消耗等目标。R-MT允许使用者同时使用手指及手写方式，输入语言方面无限制，可使用韩文、英文或汉字。还可用手指放大或缩小图片。

在制作成本方面，R-MT也较电容式多点触控(C-MT)更具优势。目前，ATLab已拥有三项相关专利，包括：KRAP10-2008-0127410；KRAP10-2009-0014944；KRAP10-2009-0028199。

新的R-MT大幅简化了制程，它以UV Ink和内建ITO之Poly Carbonate取代使用光学式薄膜与2张ITO膜的方式，可大幅减少制作成本、提高产品制作速度，甚至还可以提高良率。据估计，透过上述方式，约可减少10~15%的成本支出。

ATLab Inc已开发出兼具电阻与电容触控优点的技术，未来也计划推出客制化产品，为用户提供ASIC解决方案。（编辑：于占涛）