友达光电利用铝电极实现采用氧化物半导体TFT的37\'液晶面
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AUO在“TAOS 2010”上进行发布。
“氧化物半导体薄膜晶体管(氧化物半导体TFT)的开发已经从基础研究阶段转移到了为量产而开发的阶段”(某显示器技术咨询师)。与现有的硅TFT相比,氧化物半导体TFT可驱动高精液晶面板和更大尺寸的有机EL面板。其开发工作目前正在迅速推进。
其中具有代表性的是台湾友达光电(AU Optronics Corp,AUO)开发的采用氧化物半导体TFT、支持全高清(1920×1080像素)的37英寸液晶面板。该公司在氧化物半导体TFT国际会议“International Workshop on Transparent Amorphous Oxide Semiconductors”(TAOS2010,2010年1月25~26日)上宣布,将此前不足20英寸的面板尺寸一举扩大到了液晶电视普及价位的尺寸,令与会者大为震惊(图1)。日本某大型显示器厂商的技术人员在听到这一消息后表示,“甚至感觉到硅TFT有可能会被氧化物半导体TFT彻底取代”。
新一代面板包括精细度为4K×2K(4000×2000像素级)以上、帧频超过240Hz的液晶面板以及尺寸超过40英寸的有机EL面板。以AUO公司的成果为契机,利用氧化物半导体TFT开发硅TFT很难实现的新一代面板的势头将越来越猛。
攻克铝电极难题
图1:通过氧化物半导体TFT实现支持全高清的37英寸液晶面板
在采用氧化物半导体TFT的显示器开发事例中,以前的面板尺寸均不到20英寸。此次,AUO开发出了37英寸的液晶面板,一举到达了了普及价位尺寸。
此次,AUO之所以能够一举实现面板的大尺寸化,是因为非晶IGZO(In-Ga-Zn-O)型氧化物半导体TFT的电极材料采用了铝,与此前的开发中通常使用的钼(Mo)相比,铝的电阻较低。一般情况下,采用铝电极的话,TFT的结构会变得复杂,导致制造成本上升,但此次AUO解决了该问题。
如果在TFT上采用铝电极,与SiOx绝缘膜的界面会形成AlSi,而导致绝缘耐压降低。为了避免出现这种情况,多采用SiN绝缘膜,但这种结构大多需要具有SiOx的蚀刻终止层,结果导致TFT的制造工序增加、成本上升(图2)。
AUO指出只要改善TFT通道部的质量,即可弥补由于电极部形成AlSi带来的性能劣化。具体做法是利用等离子处理来修复溅镀时通道表面的龟裂,通过改进SiOx成膜法提高用于表面保护的SiOx绝缘膜与通道界面的质量。
氧化物半导体TFT实用化所面临的一大课题是,在照射背照灯灯光的条件下,需要将TFT的阈值电压变动控制在实用水平上。通过提高成品率,“将成本降至现有液晶面板以下也极其重要”(某显示器技术咨询师)。如果能解决这些问题,预计“2010年代前期采用氧化物半导体TFT的液晶面板即可实用化”(韩国三星电子高级顾问、LCD部门的JunH.Souk)(图3)。
韩国企业稳步改善特性
为实现氧化物半导体TFT的实用化,“三星和韩国LG显示器的干劲不可小觑”(TFT技术人员)。
尽管三星此次没有发布大尺寸面板,但公布了开发的进展情况。该公司称,最近一年内,在照射背照灯灯光的条件下,要将TFT的阈值电压变动降至以往的1/3。这主要靠通过改善绝缘膜材料和控制通道界面来实现。
图2:采用面向大面积化和低成本化的结构
AUO在开发37英寸液晶面板时,采用了面向大面积化和低成本化的TFT结构。一般情况下,采用该结构TFT特性容易劣化,但该公司开发出了解决该问题的工艺技术。
图3:为实现氧化物半导体TFT的量产,三星快速推进开发
三星公司Souk在“TAOS 2010”上公开了该公司的氧化物半导体TFT的开发情况。照射光时的工作稳定性和量产性的验证是目前存在的课题。本刊在图中插入了Souk有关量产时间的发言。
LG显示器开发出了支持全高清的15英寸有机EL面板。关于有机EL面板,该公司发表了较其他公司更为积极的大尺寸化计划,并认为氧化物半导体TFT是其强有力的实现手段。此次,该公司几乎完全控制住了背照灯灯光对TFT特性造成的影响,“公开的数据在所有进行发表的企业中最为优异”(氧化物半导体的研究人员)。(记者:大下 淳一)