一种可促使LED更有效开发的新技术问世
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Bedair教授和Nadia El-Masry教授的实验是将2微米厚的GaN薄膜的一半厚度嵌入到长2微米宽,0.5微米的空间间隙。研究人员在实验影像中发现,许多缺陷会被吸引并困在这些空隙空间里。这使得空隙空间上减少了许多缺陷。因此,他们有效的在薄膜中放置一些空隙空间后,成功地防止缺陷蔓延到薄膜的其余部位。
如果没有这个空隙技术,每平方厘米的氮化镓薄膜将会有大约1010个缺陷。然而使用了这个技术后,每平方厘米的缺陷将会降到大约107。Bedair教授表示,“虽然这种技术将增加一个额外的制造步骤,但它会制造出更高质量、更有效的发光二极管。”