普瑞光电推出新型氮化镓硅衬底LED制造技术
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就生产工艺而言,现有的大多数LED外延片都是使用蓝宝石或碳化硅作为衬底材料。然而,大直径蓝宝石和碳化硅衬底价格昂贵,难以处理,而不能广泛使用。因此,生产成本抑制了LED用于住宅和商业建筑照明的广泛应用。
然而,普瑞光电的新技术采用了更大面积和更低成本的硅晶片来作为生产氮化镓(GaN)的衬底。普瑞光电预计,由于该技术与现代半导体制造工艺的兼容性,预计其能够降低75%的生产成本。普瑞光电表示,优化8英寸硅片外延工艺将使LED的生产制造与现有的半导体自动化生产线有效兼容。
普瑞光电预计,未来两到三年内,普瑞公司会交付其第一批商用氮化镓硅衬底LED产品。
普瑞光电表示,该公司会应用其在LED外延片上的知识产权与其他合作伙伴共同制造以硅为衬底的LED产品。目前,该公司正在与多家半导体公司讨论这项计划。
普瑞光电首席执行官Bill Watkins表示,“以硅为衬底的生产技术会大幅降低LED的成本,并且有效地减少发展固态照明的前期资金投入。在短短的两到三年内,固态照明会迅速普及,甚至是那些对价格最为敏感的领域,例如,商业照明、办公室照明和住宅照明等,并且现有的照明改造系统也会平稳快速地转换为固态照明。”