国标委公布23项LED相关拟立项国家标准
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此次国标委公布的2011年第一批拟立项国家标准项目中,包括led相关标准23项,涉及外延芯片、封装及照明应用各个环节。一旦这些国标顺利实施,将对规范半导体照明市场、促进产业健康、快速发展,起到积极作用。
表1 国家标准化管理委员会公布的2011年第一批拟立项国家标准项目
项目名称 | 完成时间 | 主管部门 | 归口单位 | 起草单位 | 范围和主要技术内容 |
Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法 | 2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | 中国科学院半导体研究所 | 本标准适用于利用高分辨X射线衍射对III氮化物外延片结晶质量进行精准测量. |
Ⅲ族氮化物外延片晶格参数测试方法 | 2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | 中国科学院半导体研究所 | 本标准适用于利用高分辨X射线衍射对III氮化物外延片晶格常数进行精准测量. |
LED发光用氮化镓 | 2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | 中国科学院半导体研究所 | 本规范规定了半导体发光二极管用氮化镓材外延材料的技术要求、检验规则和检验方法.完成本研究项目后,我们将提交的技术文件包括:LED用外延片材料物理性能数据库;LED用氮化物外延片测试方法;LED发光用氮化物材料性能规范. |
LED外延芯片用磷化镓衬底规范 | 2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | 中国科学院半导体研究所 | 本标准规定了LED外延芯片用磷化镓衬底的分类、技术要求(电阻率、迁移率、载流子浓度要求;位错密度要求;晶向;衬底的几何形貌及外形尺寸要求等.)检验规则、标志、包装、运输及贮存. |
LED外延芯片用砷化镓衬底规范 | 2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | 中国科学院半导体研究所、国瑞、协鑫硅材料等 | 本标准规定了LED外延芯片用砷化镓衬底的分类、技术要求(电阻率、迁移率、载流子浓度要求;位错密度要求;晶向;衬底的几何形貌及外形尺寸要求等.)检验规则、标志、包装、运输及贮存. |
氮化镓外延片及衬底片 | 2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | 上海蓝光科技有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司 | 本标准规定了氮化镓外延片及衬底的技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装运输和贮存等内容.本标准适用于采用金属有机气相外延方法得到的的N型氮化镓外延片和P型氮化镓外延片及采用氢化物气相外延得到的氮化镓衬底片.产品主要用于制作氮化镓半导体器件,其他类型的氮化镓外延片可参照执行.详细内容见附件. |
氮化物LED外延片内量子效率测试方法 | 2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | 中国科学院半导体研究所 | 适用于氮化物半导体LED外延材料的内量子效率检测. 通过测量低温(10K)和室温下的PL发光积分强度确定外延片的内量子效率.确定测试的条件要求和设备系统的技术要求. |
蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法 | 2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | 协鑫光电科技(江苏)有限公司 | 本标准涉及用于氮化?生长、半导器件衬底等的高纯蓝宝石单晶单面抛光片,明确蓝宝石衬底片的几何参数测定方法 |
蓝宝石单晶衬底抛光片规范 | 2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | [!--empirenews.page--]协鑫光电科技(江苏)有限公司 | 本标准涉及用于氮化?生长、半导器件衬底等的高纯蓝宝石单晶单面抛光片,明确2inch、4inch、6inch蓝宝石衬底片的几何参数测定方法,参考面的加工方法、缺陷判定标准、包装、标示等 |
蓝宝石单晶晶锭 | 2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | 协鑫光电科技(江苏)有限公司 | 本标准涉及用于氮化?生长、半导器件衬底等的高纯蓝宝石单晶?,明确定?蓝宝石晶?的几何参数测定方法,参考面的加工方法、缺陷判定标准、包装、标示等 |
蓝宝石晶锭应力测试方法 | 2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | 协鑫光电科技(江苏)有限公司 | 本标准涉及用于氮化?生长、半导器件衬底等的高纯蓝宝石单晶单面抛光片,明确蓝宝石衬底片的几何参数测定方法 |
碳化硅单晶抛光片 | 2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | 北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所 | 本标准规定了碳化硅单晶抛光片的术语和定义、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存等.本标准适用于4H晶型碳化硅和6H晶型碳化硅单晶抛光片,产品规格为2英寸至4英寸的导电型和半绝缘性碳化硅单晶抛光片.本标准参照SEMI M55.1-0304及国外先进标准,对碳化硅衬底材料的外形尺寸、表面几何参数、晶面取向、晶片表面缺陷限度、微管密度、结晶质量和电阻率等主要技术指标都进行了要求,并规定了各种缺陷的定义及检测方法,适用于全国从事碳化硅晶片及其相关行业的所有企业和机构. |
碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法 | 2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | 北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所 | 本标准规定了碳化硅单晶抛光片的微管和微管密度的定义、方法提要、一般要求、测试程序、分析结果的计算、精密度、质量保证和控制及检测报告等.本标准适用于4H晶型碳化硅和6H晶型碳化硅单晶抛光片、微管的径向尺寸在几微米至几十微米范围内的微管密度的测量.样品表面法线方向为<0001>方向,且其偏离角不应大于±8°.该方法使用正交偏光显微镜的透射光模式, 利用入射光线在微管周围处的折射系数差异来确定微管,从而计算出相应的微管密度. |
LED用稀土氮化物红色荧光粉 | 2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国稀土标准化技术委员会 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 本标准适用于发光二极管用氮化物红色荧光粉,可用于显示、背光源或一般照明.主要技术内容包括,LED用氮化物红色荧光粉相关的名词术语及其定义、荧光粉的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存等内容. |
LED用稀土硅酸盐荧光粉 | 2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国稀土标准化技术委员会 | 大连路明发光科技股份有限公司 | 范围:用于LED的硅酸盐体系荧光粉,主要包括发射绿光、黄光、橙红色发光的各种结构形式的硅酸盐荧光粉.主要技术内容:用于LED的硅酸盐体系荧光粉标准以及相关检测试验方法:相对亮度、激发发射光谱性能、色品坐标等. |
LED用稀土硅酸盐荧光粉试验方法 第1部分:相对亮度的测定 | 2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国稀土标准化技术委员会 | 大连路明发光科技股份有限公司 | 范围:用于LED的硅酸盐体系荧光粉,主要包括发射绿光、黄光、橙红色发光的各种结构形式的硅酸盐荧光粉.主要技术内容:用于LED的硅酸盐体系荧光粉的相对亮度试验方法:包括激发光源、样品盘的选择及分析方法的建立 |
LED用稀土硅酸盐荧光粉试验方法 第2部分:光谱性能的测定 | 2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国稀土标准化技术委员会 | 大连路明发光科技股份有限公司 | 范围:用于LED的硅酸盐体系荧光粉,主要包括发射绿光、黄光、橙红色发光的各种结构形式的硅酸盐荧光粉.主要技术内容:用于LED的硅酸盐体系荧光粉的光谱性能试验:包括激发光谱、发射光谱曲线的建立 |
LED用稀土硅酸盐荧光粉试验方法 第3部分:色品坐标的测定 | [!--empirenews.page--]2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国稀土标准化技术委员会 | 大连路明发光科技股份有限公司 | 范围:用于LED的硅酸盐体系荧光粉,主要包括发射绿光、黄光、橙红色发光的各种结构形式的硅酸盐荧光粉.主要技术内容:用于LED的硅酸盐体系荧光粉的色品坐标试验,确定其在CIE色品图中的具体位置及其发光颜色. |
LED用稀土硅酸盐荧光粉试验方法 第4部分:热稳定性的测定 | 2012 | 国家标准化管理委员会 | 全国稀土标准化技术委员会 | 大连路明发光科技股份有限公司 | 范围:用于LED的硅酸盐体系荧光粉,主要包括发射绿光、黄光、橙红色发光的各种结构形式的硅酸盐荧光粉.主要技术内容:用于LED的硅酸盐体系荧光粉的热稳定性能试验,包括激发光谱、发射光谱曲线的建立. |
led筒灯 性能测试方法 | 2011 | 中国轻工业联合会 | 全国照明电器标准化技术委员会 | 上海时代之光照明电器检测有限公司 | 本标准适用于220V50Hz供电的各类LED筒灯的性能参数的测试方法,其中包括常规电性能、总光通量、光效、配光曲线、光束角、显色性、寿命试验方法和电磁兼容性能等测试方法,以及眩光、工作面等照度分布曲线的表征和测试方法. |
LED筒灯 性能要求 | 2011 | 中国轻工业联合会 | 全国照明电器标准化技术委员会 | 上海时代之光照明电器检测有限公司 | 本标准适用于额定电压220VAC50Hz;整体式LED筒灯,或自带驱动装置LED筒灯,或驱动装置分离式LED筒灯.主要技术内容包括产品的规格分类、初始光通量初始光效和光通维持率等基本光学性能指标,电气等安全要求及无线电骚扰特性等. |
反射型自镇流LED灯 性能测试方法 | 2011 | 中国轻工业联合会 | 全国照明电器标准化技术委员会 | 国家电光源质量检验中心(北京)、北京半导体照明科技促进中心 | 本标准适用于220V50Hz供电的各类反射型自镇流LED照明产品的性能参数的测试方法,其中包括常规电性能、总光通量、光效、配光曲线、光束角、显色性、寿命试验方法和电磁兼容性能等测试方法,以及光生物危害、工作面等照度分布曲线的表征和测试方法. |
反射型自镇流LED灯 性能要求 | 2011 | 中国轻工业联合会 | 全国照明电器标准化技术委员会 | 国家电光源质量检验中心(北京)、北京半导体照明科技促进中心 | 本标准适用于额定电压220VAC50Hz,灯头符合E14、E27,产品类型类似于MR16, PAR20, PAR30, PAR38.本标准主要针对反射型自镇流LED照明产品,规定了MR和PAR系列LED照明产品的技术要求,其中包括产品的规格分类、初始光通量、初始光效和光通维持率等基本光学性能指标,电气等安全要求及无线电骚扰特性等. |