瑞丰光电研发中心发布Chip LED衰减改善成果
时间：2011-12-05 00:33:34
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[导读]瑞丰光电研发中心近日正式发布针对ChipLED的衰减改善成果。通过对关键材料的改进和线路的重新设计，新一代的ChipLED的衰减只有之前版本的31%。由于抗衰减能力的大幅度提升，ChipLED将能在指示、背光灯领域的应用将有
瑞丰光电研发中心近日正式发布针对ChipLED的衰减改善成果。通过对关键材料的改进和线路的重新设计，新一代的ChipLED的衰减只有之前版本的31%。由于抗衰减能力的大幅度提升，ChipLED将能在指示、背光灯领域的应用将有全新的发展。
ChipLED项目负责人朱经理介绍，ChipLED的抗衰减性能的改善主要基于两个原因：通过PCB线路的重新设计降低产品的热阻；另一方面包含到固晶胶材和封装胶材的改进，除了降低产品的热阻之外，也大幅度的改善了材料的光老化特性。据最新的老化数据显示，新一代的产品衰减只有原来的31%，抗衰减性能大幅提升。
目前采用新材料和制程的ChipLED已经正式导入量产。
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