以量产为目标的高可靠性氧化物TFT成果接连发布
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氧化物TFT的发布在此次“SID”(全球最大的显示器学会,2011年5月15~20日在美国洛杉矶举行)上也非常多。而且,有关高可靠性的发布趋于增加,令人感到氧化物TFT终于接近了实用化水平。
单从分会名称上看,涉及氧化物TFT的只有“Active Matrix Devices的Oxide TFT I和II”两个,但“OLED Displays II”分会的发布也都集中于将氧化物TFT用于背板上。而且,还有将氧化物TFT应用于柔性显示器的发布。此外,在展板会议的26项“Active-Matrix Devices”发布中,有18项都与氧化物TFT相关。这表明,作为最有希望的新一代FPD用元件技术,有大量研究人员在从事氧化物TFT的开发。
Oxide TFT I:发布200℃工艺以及降低截止电流的新技术
在“Oxide TFT I”分会上,首先东芝发布了使用以低于200℃的低温工艺在树脂基板上形成IGZO(In-Ga-Zn-O)TFT试制的柔性有机EL面板。BT试验结果显示,在Vgs=20V、70℃、2000秒的条件下ΔVth=0.22V。试制面板的性能指标为:3英寸、160×120像素、2Tr+1Cap(双晶体管单电容器电路)像素电路、底面发光型白色有机EL+彩色滤光片结构、开口率为40%。TFT内置扫描驱动电路。
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韩国三星移动显示器(SMD)发布了实现让内置扫描电路稳定工作以及低耗电化的14英寸有机EL面板(论文编号:4.2)。使用浮游栅极降低了氧化物TFT的截止电流。
氧化物TFT的Vth一般多在0V以下,Vgs=0V条件下的截止电流较大。因此存在普通电路难以工作以及耗电量变大的问题。因此,SMD将电路的一部分制成了浮游栅极构造,在开始扫描之前设定适当的电位。在此基础上,还通过电容耦合来控制输出信号,确保了工作的稳定。
作为另外一种方法,SMD还发布了主动优化栅极偏压的动态Vth控制式电路(论文编号:49.3)。试制的有机EL面板的性能指标为:14英寸、960×540像素、3Tr+1Cap像素电路。